长波长（1.2～1.55μm）双异质结半导体激光器的研制小结

Authors
Publication date
1 January 1982
Publisher
《光通信研究》编辑部
Doi

    Abstract

    本文概述了InGaAsP/InP系半导体激光器的结构、制造方法与光电特性。用过冷法制造外延片,用深锌扩散制造窄条结构可以重复做出长距离、大容量光纤通信系统所用的1.2～1.55μm的半导体激光器

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