Doppelsei tige 3-Zoll-HTSL-Wafer wurden magnetooptisch charakterisiert. Der vorgestellte Aufbau erlaubt einen schnellen und zerstorungsfreien Nachweis von lokalen und ausgedehnten Inhornogenitiiten in der kritischen Stromdichte rnit hoher Ortsauflosung im Mikrometerbereich. Zusatzliche Goldschichten auf den HTSL-Wafem, wie sie manchmal in der Bauteilherstellung eingesetzt werden, beeinflussen nicht das Ergebnis der Messungen. Die hohe rnagnetische Empfindlichkeit erlaubt sogar den Nachweis lokaler Defekte bei 77 K, wo der Kontrast in den kntischen Stromen schwiicher ist und die Charakterisierung von HTSLFilmen vie1 schwieriger ist als bei tieferen Temperaturen. Der Aufbau kann daher selbst unter Bedjngungen eingesetzt werden, bei denen Kiihlung rnittels Flussig-Helium oder Kleinkuhler nicht zur Verfugung steht. Die Empfindljchkeit wurde an natiirlichen und lainstlichen Defekten iiberpriift, wobei letztere durch fokussierte Laserstrahlung hergestellt wurden
