The thin film capacitors were formed on silicon. The capacitor is based on the strontium titanate multi-layer which was fabricated using the sol-gel method after heat treatment at the temperature 750 or 800 °C. The lower and upper electrodes were made from platinum and nickel accordingly. The average values of the dielectric permittivity, ε, and the loss factor, tg δ, were found between 150-190 and 0,06-0,1 respectively. The standard deviation values of the mentioned characteristics were calculated.Сформированы тонкопленочные конденсаторы на подложках кремния. Основу конденсатора составляет многослойная пленка титаната стронция, полученная золь-гель методом при температурах отжига 750-800 °С. Нижний электрод сформирован из платины, верхний - из никеля. Средние значения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлекрических потерь лежат в пределах 150-190 и 0,06-0,1 соответственно. Приведены значения среднеквадратического отклонения указанных величи
