イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi 2 膜中の空孔型欠陥評価

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Publication date
13 March 2019
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Abstract

イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi2では、AlドープによりPL発光強度が増大することが報告されており，Siサイトを置換するAl原子がSi空孔形成を抑制するためであると言われていた．しかし陽電子消滅法による評価からはAlドープによる空孔型欠陥形成を示唆する結果が得られていた．今回，β-FeSi2試料における陽電子捕獲サイトについて調べた結果，AlドープによるFe空孔形成の可能性が見出された．第66回応用物理学会春季学術講演

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