The Republican Unitary Enterprise Publishing House "Belaruskaya Navuka"
Abstract
The article studies the effect of electron radiation with energy of 4 MeV on the characteristics of high-voltage (4.5 kV) silicon diode p-n-structures based on nuclear-doped silicon. During the research the dose dependences of the correlations between the static and dynamic characteristics of the p-n structures were built, and the radiation damage coefficient of minority carrier lifetime Kτ was determined. Using the DLTS-spectroscopy method, the formation in the band-gap of basic n-Si of six energy levels of radiation defects affecting the characteristics of irradiated p-n-structures was determined. В работе проведены исследования влияния электронного облучения с энергией 4 МэВ на характеристики высоковольтных (до 4,5 кВ) диодных кремниевых p-n-структур, изготовленных на ядерно-легированном кремнии. Получены дозовые зависимости статических и динамических характеристик p-n-структур, определен коэффициент радиационных повреждений времени жизни неосновных носителей заряда Kτ . С помощью метода DLTS-спектроскопии определено образование в запрещенной зоне базового n-Si шести энергетических уровней радиационных дефектов, влияющих на характеристики облученных p-n-структур.
