金沢大学理学部研究の対象にしている物質Nb_3Te_4は異方性の大きな超伝導体である.この物質にInとHgを挿入して超伝導,電荷密度波に及ぼす元素添加効果およびNb_3X_4(X=S,Se,Te)の超伝導転移に及ぼす圧力効果について研究を行ったものである.Nb_3X_4の結晶構造は元素を挿入しても格子定数はほとんど変わらないと云う特徴をもっている.したがって,母結晶のバンド構造を維持した状態で伝導電子数を増大することができる.このような特徴をもつA_xNb_3Te_4(A=In,Hg)について電気伝導・熱電能の測定を行なった.得られた成果の主なものを次の通りである.Hg_xNb_3Te_4:Hgは伝導電子の散乱核として機能していないこと,Nb_3Te_4の伝導帯は電子と正孔から成る複合伝導帯でありHgの添加量を増すにしたがって伝導に占める正孔の割合が大きくなることを明らかにした.また,超伝導転移温度はHg添加によって著しく増大することを見出した.In_xNb_3Te_4は41Kと110Kに抵抗異常を示すことは知られているが,新たな抵抗異常が76Kに現れることを初めて見出した.また,Inの濃度がx>0.3では約160Kに抵抗異常が現れること,その立ち上がり温度はInの濃度に依存しないことを見出した.熱電能も抵抗が異常を示す温度域で異常を示す.また,熱電能の大きさはIn添加によって大きく変わり,約x>0.2ではその符号は正になることを見出した.このことからも,Nb_3Te_4の伝導帯は電子と正孔から成る複合伝導帯であることは明らかである.Nb_3X_4の圧力効果:Nb_3Se_4の超伝導転移温度Tcを加えると減少すること,逆にNb_3Te_4のTcは大きくなることを見出した.このような圧力効果を明らかにするためにTcに関するMcMillanの式を用いて考察した.The electrical resistivity and the thermoelectric power of Nb_3Te_4 inserted with Hg and In have been measured in the temperature range from 1.4 to 300 K : Hg_xNb_3Te_4 and In A_xNb_3Te_4. The magnitude of the resistivity and the residual-resistivity ratio is not greatly affected by addition of Hg or In. The resistivity of Nb_3Te_4 shows two anomalies at 40 K and 110 K. These resistivity anomalies disappear by addition of Hg. On the contrary, both resistivity anomalies are enhanced when adding a small amount of In and a new resistivity anomaly appears at 160 K for x > 0.3. The anomalies in the thermoelectric power curve also appear at the range in temperature where the resistivity anomalies appear. The sign of the thermoelectric power changes from negative to positive with addition of In. The superconducting transition temperature is enhanced from 1.9 to 5.4 K by addition of Hg. These results are discussed on the basis of the multiband model with electronlike and holelike carriers.The pressure effect on the superconductivity and on the CDW formation in Nb_3X_4 with X=S, Se, and Te has been studied by a resistivity measurement. In both Nb_3X_4 and Nb_3Se_4, the superconducting-transition temperature TィイD2cィエD2 decreases with increasing pressure. Pressure-induced-lattice stiffening mainly causes the decrease of TィイD2cィエD2 in these compounds. The TィイD2cィエD2 of Nb_3Te_4 increases with pressure. The pressure enhancement of TィイD2cィエD2 is mainly due to the increase of N(0) by the recovery of the density of states N(0) associated with the depression of the CDW\u27s. The pressure effect on both CDW-transition temperatures is discussed in terms of both lattice stiffening and collapse of the nesting of the Fermi surfaces.研究課題/領域番号:09640426, 研究期間(年度):1997 – 1999出典：研究課題「一次元電気伝導体における超伝導とインターカレーション 」課題番号09640426（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所）） （https://kaken.nii.ac.jp/ja/report/KAKENHI-PROJECT-09640426/096404261999kenkyu_seika_hokoku_gaiyo/）を加工して作
