金沢大学ナノマテリアル研究所 / 大阪大学本研究では金属酸化物系薄膜において、アモルファス化による電子物性制御と、デバイスにおいてそれが有益に機能し得ることを実証することを目的としている。ジルコニアに続いて、ハフニアの薄膜でも、ｎ型半導体として機能している実験結果が得られた。ハフニアの性能が良好であった事をうけて、混合系を検討した。いずれの場合も、単一系よりもさらに良好な物性が得られた。この結果は、アモルファス酸化物の可能性を示すものであり、混合系における準位創出、利用がうまく機能したものと考えている。This research focused on the amorphous metal oxide application as an n-type semiconductor. Zirconia, hafunia and these mixed system were well worked in the organic photovoltaic cell as an n-type semiconductor. The results revealed that amorphous metal oxides have high potential for utilizing as the semiconductor.研究課題/領域番号:15K13772, 研究期間(年度):2015-04-01 - 2017-03-3
