Méthode de mesure de la longueur de diffusion dans des rubans de silicium polycristallin destinés à la conversion photovoltaïque

Abstract

Une méthode simple a été mise au point qui permet de mesurer, avec une bonne précision, la longueur de diffusion des électrons dans des rubans de silicium polycristallin de type p dont les caractéristiques sont celles requises pour fabriquer des photopiles. Elle est basée sur l'étude d'une diode Schottky réalisée au moyen d'un contact mercure-silicium