ДЕТЕКТОРИ ІОНІЗУЮЧИХ ВИПРОМІНЮВАНЬ “ФОТОЧУТЛИВА ГЕТЕРОСТРУКТУРА - ХАЛЬКОГЕНІДНИЙ СЦИНТИЛЯТОР” НА ОСНОВІ СПОЛУК AIIBVI

Abstract

Methods for preparation of photosensitive structures nZnSe(Te)-pZnTe and ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe are considered. The methods use solid-phase substitution reactions and subsequent epitaxial growth on ZnSe(Te) crystals. It has been shown that maximum e.m.f. value for integrated detectors is 1.2-1.4 V, and their X-ray sen­sitivity reaches values up to 150-200 nAmin/Rcm2. Dynamic linearity range of output characteristics of the detectors was not less than 105, afterglow level after 20 ms - less than 0.05 %, allowing to use them in X-ray tomographs.Розглянуто методи отримання фоточутливих структур типу nZnSe(Te)-pZnTe і ZnSe(Te)/pZnTe-nCdSe шляхом використання твердофазних реакцій заміщення і подальшого епітаксіального росту на кристалах ZnSe(Te). Показано, що амплітуда вихідного сигналу інтегральних детекторів дорівнює 1,2-1,4 В, а рентгенівська чутливість досягає величин 150-200 нА-хв/см2-Р. Динамічний діапазон вихідних параметрів досягає 105, а рівень післясвітіння через 20 мс не перевищує 0,05 %, що дозволяє використовувати їх у детектуючих системах рентгенівських інтроскопів