Commutateurs electro-optiques à haute diaphotie sur InP

Thèse de doctorat en Electronique, Université de Lille 1, 27 ma

Commutateurs électro-optiques à haute diaphotie sur InP

L'objectif de ce travail est de concevoir, fabriquer et caractériser des commutateurs électro-optiques à haute diaphotie de type Digital Optical Switch réalisés en optique intégrée sur InP. Nous avons commencé ce travail par une conception approfondie de nos commutateurs, à l'aide de logiciels de modélisation numérique (Analyse modale, BPM2D et BPM3D) développés à l'IEMN et adaptés à nos dispositifs, et proposé une forme originale de la structure guidante et des électrodes. Une première réalisation a conduit à des diaphoties ne présentant que 20dB ; en parallèle, des dispositifs spécifiques nous ont permis d'analyser les mécanismes liés aux effets d'injection de porteurs libres; Par rétrosimulation, nous avons mis en évidence l'origine de l'écart entre diaphotie mesurée et prévue théoriquement (>30dB) ; nous avons apporté les modifications technologiques nécessaires. La caractérisation de ces nouveaux composants a montré des diaphoties supérieures à 40dB, correspondant à un record pour ce type de dispositif. Nous terminons ce mémoire par quelques perspectives.LILLE1-BU (590092102) / SudocSudocFranceF

GaN-on-silicon high-electron-mobility transistor technology with ultra-low leakage up to 3000 V using local substrate removal and AlN ultra-wide bandgap

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n° de priorité : FR20080004320 20080729 ; également publié en tant que : WO2010012759 (A1) 2010-04-02 ; FR2934690 (B1) 2011-02-1