E -tunable magnetic susceptibility and reversible magnetization switching in YIG/Pt/PMN-PZT/Pt heterostructure by low electric and magnetic fields

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Thin film synthesis and micro patterning of lead free piezoelectric ceramic for composite pMUT applications

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ELFI : calculateur électromagnétique pour l'établissement de schémas électriques équivalents aux interconnexions "cuivre" couplées et pour la caractérisation des matériaux

Les travaux décrits dans ce mémoire concernent la mise en œuvre d'un code de calcul électromagnétique d'éléments finis à éléments d'arêtes nommé ELFI, et ce, en deux dimensions. Après une importante phase de validation, la méthode des éléments finis est, dans un premier temps, appliquée à l'étude de trois, cinq et huit interconnexions "cuivre" , à pertes, constituant les différents niveaux de métallisation d'un circuit intégré. Les schémas électriques équivalents à ces trois systèmes sont ensuite implantés sous SPICE pour étudier les évolutions des temps de montée et de retard de propagation des signaux ainsi que le comportement de la diaphonie. Ceci est effectué en fonction de la distance séparant les connexions et en fonction de la nature des matériaux remplissant les zones de couplage. L'influence des lignes passives (les victimes) est alors clairement identifiée en présence d'une ligne active (l'agresseur) et réciproquement. Notre code de calcul est ensuite modifié puis adapté pour constituer une aide à la détermination de la permittivité diélectrique complexe du titano-zirconate de plomb (le PZT) dans la bande 1 à 26 GHz. Les impacts du posé des pointes de mesure, de la conductivité des métallisations coplanaires, de la variation de l'épaisseur de la couche de PZT ainsi que celle du tenseur de permittivité du substrat saphir qui supporte les lignes sont, tour à tour, analysées. Cette étude de sensibilité montre que l'on détermine, à ce jour, pour ce matériau polycristallin sans orientation particulière une permittivité relative de l'ordre de 1500 à +- 5% dans le meilleur cas de figure.LILLE1-BU (590092102) / SudocSudocFranceF

Synthesis of lead-free (Bi0,5Na0,5)TiO3 thin film by RF magnetron sputtering: Impact of Na on the properties of film

International audienceThis work concerns the growth of (Bi0,5Na0,5)TiO3 on Si/SiO2/LNO by RF magnetron sputtering. We observed, for the first time on BNT thin films, reactions that destroy the film. This behavior is associated to sodium or sodium oxide segregation. After an extensive description of the sodium impact onto the film, a solution with adapted deposition conditions to suppress these effects is reported. Raising the sputter deposition temperature to 250 °C allows to have a pure perovskite BNT single phase. The ferroelectric, dielectric and piezoelectric properties of BNT films (thickness = 350 nm) were assessed. In particular, the macroscopic piezoelectric coefficient d33 attains a maximum value of 56 pm/V

Electromechanical properties of sodium bismuth titanate thin films

International audienceLead-free piezoelectric sodium bismuth titanate (BNT) films are promising candidates for actuators applications as an alternative to lead zirconate titanate films. We focused in this work on the growth and characteristics of BNT films deposited by sputtering on silicon substrates with LaNiO3 electrodes. The films are amorphous previous to post-annealing treatments. We studied the influence of the crystallization state and film thickness on their electromechanical properties. Namely, we evaluated the piezoelectric properties, reduced elastic modulus, and hardness. BNT films fully crystallized (f-c) in the desired perovskite structure, without second phase, after post-annealing at 650°C. Relative permittivity grew from 60 to 540 for an amorphous vs. a f-c film and the d33eff coefficient improved with film thickness to 60 pm/V for a 450 nm thick film. The BNT film's mechanical properties increased with film crystallization from the amorphous structure to the f-c: 134 to 149 GPa for reduced modulus and 7 to 9 GPa for hardness. However, the film thickness did not remarkably modify the mechanical properties, yet a slight decrease for the 450 nm film was explained by previous cracking on the surface

On the Analysis of Four Symmetrical Interconnects for Signal Integrity Evaluation

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Electric field tuning of magnetization in an antiferroelectric‐based heterostructure: Example of NMG/PLZST/NMG

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Macro- and Nanoscale Piezo- and Ferroelectric Properties in (001)-oriented Bi_0.5Na_0.5TiO₃ Lead-Free Thin Films Grown by Sputtering on LaNiO₃/Si Substrates

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Synthesis and electrical properties of lead-free piezoelectric Bi_0.5Na_0.5TiO₃ thin films prepared by Sol-Gel method

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