Thermal characterization of AlGaN/GaN HEMTs using thermoreflectance method

International audienc

Characterization of Different Technologies of GaN HEMTs of 0,15 µm Ultra-Short Gate Length: Identification of Traps Using TCAD Based 2D Physics-based Simulation

International audienc

Dual Approach for the characterization of the thermal impedance using 3omega and thermoreflectance methods

International audienc

Trapping Investigation of the GaN HEMT Devices Using the Low Frequency Noise Characterization

International audienc

Etude et réalisation d un oscillateur bande X, contrôlé en tension, à varactor MEMS, pour application spatiale

This research work is dedicated to the design and realization of a 10 GHz voltage controlled oscillator. A feasibility study of the oscillator using MEMS varactor to control the oscillation frequency is realized. First chapter presents analysis methods enabling to simulate accurately all of circuit electrical characteristics before its realization : start-up conditions, steady-state and phase noise analysis. Second chapter presents the non linear modeling of the SiGe heterojonction bipolar transistor used to design the oscillator. Second part of this chapter shows low frequency noise modeling of this transistor, since it s the major contribution of phase noise near the carrier. Thrid Chapter is devoted to the design of the nal oscillator. The di erent design steps using tools presented in the rst chapter and models presented in the second chapter are explained. This work leads to the realization of a xed frequency oscillator and a voltage controlled oscillator respectively reaching phase noise of -119 dBc/Hz and -115 dBc/Hz @ 100 kHz from the carrier.LIMOGES-BU Sciences (870852109) / SudocSudocFranceF

Thermal characterization of AlGaN/GaN HEMT using thermoreflectance method

International audienc

Simulation en bruit et conception d'OCT MMIC à très faible bruit de phase pour applications automobiles et télécommunications

Le travail présenté dans ce mémoire concerne les oscillateurs hyperfréquences contrôlés en tension et réalisés en technologie MMIC. Ils sont utilisés dans les radars automobiles et dans des applications de télécommunications. Après la présentation des deux domaines d utilisation des oscillateurs, nous nous intéressons au bruit de phase de l oscillateur. La deuxième partie est consacrée à la présentation d un modèle de bruit avancé pour la filière TBH InGaP/GaAs constitué de sources de bruit basse fréquence cyclostationnaires. Une filière de transistors TBH de la société UMS (United Monolithic Semiconductors) a été utilisée pour déterminer l architecture de ce modèle afin qu il permette de prédire précisément le bruit de phase des oscillateurs. Dans la troisième partie, nous présentons la méthode de conception et d optimisation des performances d oscillateurs contrôlés en tension en technologie MMIC et de configuration pushpush .Enfin, les résultats de simulations et de mesures obtenus, confirment la précision du modèle de bruit basse fréquence. De plus, les performances de plusieurs oscillateurs sont présentées et comparées aux OCT existants.The work presented in this memory is related to the microwaves voltage controlled oscillators (VCO). These VCO are used in the automobile radars and telecommunications applications. After the presentation of the two fields of application of the oscillators, we are interested in the phase noise of oscillators. The second part is devoted to the presentation of an advanced low frequency noise model of InGaP/GaAs HBT. The cyclostationary low frequency noise sources are justified. The whole noise model is implemented in the nonlinear HBT model used in the UMS foundry. In the third part, we have applied the design method and optimisation of performance of voltage controlled oscillators in MMIC technology and "pushpush" configuration. Finally, simulations and measurements results validate the proposed low frequency noise modelling of multi-fingers HBT. Moreover, performance of several oscillators are presented and compared with existing VCO.LIMOGES-BU Sciences (870852109) / SudocSudocFranceF

Développement de modèles de CAO pour la simulation système des systèmes de communication (application aux communications chaotiques)

Cette thèse concerne la modélisation et la simulation de chaînes de communication dans un environnement de simulation système. Une première partie détaille les modèles de CAO d éléments constituant les chaînes de transmission numériques ainsi que des principes de simulation permettant l évaluation du TEB et le calcul parallèle. Un modèle comportemental de synthétiseur de fréquence de type 2 est ensuite d développé. Des traitements numériques réalisés après simulation d un synthétiseur fonctionnant à 13GHz, permettent le calcul de la densité spectrale de sortie et de la densité de probabilité de la jigue de phase. La dernière partie du manuel présente un système à sauts de fréquence chaotiques réalisé avec des synthétiseurs fonctionnant dans une bande 2.5-2.52GHz et basé sur le principe d autosynchronisation des encodeurs/décodeurs numériques quasi-chaotiques. Le modèle comportemental développé dans la première partie permet finalement la simulation du système de communication sécurisé.This work deals with the modelling and the simulation of communication chains in a system level environment. A first part develops CAD models used in digital transmission chains and gives principles of simulation for the evaluation of the BER and the parallel computation. A behavioural model of type-2 frequency synthesizer is then given. Numerical computations realized in post processing of a synthesizer working at 13GHz, allows the computation of the output spectra and the probability density of the jitter. The last part of the manual presents a chaotic frequency hopping system built with frequency synthesizers working at 2.5-2.52GHz and based of the self synchronisation principle of quasi-chaotic digital encoders/decoders. The behavioural model developed in the first part finally allows the simulation of the secure communication system.LIMOGES-BU Sciences (870852109) / SudocSudocFranceF

Non linear electrothermal and low frequency noise model of InP/GaAsSb/InP DHBT process for design of Q-band MMIC oscillator.

International audienc