Piecewise Linear and Nonlinear Window Functions for Modelling of Nanostructured Memristor Device

The present paper reports two new window functions viz. piecewise linear window function and nonlinear window function for modelling of the nanostructured memristor device. The piecewise linear window function can be used for modelling of symmetric pinched hysteresis loop in I-V plane (for digital memory applications) and the nonlinear window function can be used for modelling of nonlinear pinched hysteresis loop in I-V plane (for analog memory applications). Flexibility in the parameter selection is the main attractive feature of these window functions

Piecewise Linear and Nonlinear Window Functions for Modelling of Nanostructured Memristor Device

The present paper reports two new window functions viz. piecewise linear window function and nonlinear window function for modelling of the nanostructured memristor device. The piecewise linear window function can be used for modelling of symmetric pinched hysteresis loop in I-V plane (for digital memory applications) and the nonlinear window function can be used for modelling of nonlinear pinched hysteresis loop in I-V plane (for analog memory applications). Flexibility in the parameter selection is the main attractive feature of these window functions

Моделювання біосенсора у вигляді циліндричного кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора: вплив довжини і радіусу нанодроту

In the present report, we have simulated the FET based silicon nanowire biosensor and studied the effect of nanowire length and radius on the different functional characteristics of the silicon nanowire biosensor. We have used BioSensorLab open source simulation tool for the present investigation. Particularly, we have studied the effect of nanowire length and radius on conductance modulation with respect to target molecule density, conductance modulation with respect to buffer ion concentration, nanowire surface potential with respect to pH, signal to noise ratio (SNR) with respect to receptor density, settling time with respect to analyte concentration and density of captured molecule with respect to detection time. We have taken into account the electrostatic interaction between receptor molecules and target biomolecules, which is based on the Diffusion-Capture model. The results suggested that the higher conductance modulation can be achieved at the higher target molecule density with a larger radius of the silicon nanowire. On the other hand, maximum conductance modulation is observed at the lower radius of the silicon nanowire with lower buffer ion concentration. The simulation results suggested that the surface potential of the nanowire tends to decrease as the pH increases for both cases (nanowire length and radius). No significant effect on the signal to noise ratio due to the change in the nanowire length and radius was observed. It is observed that the nanowire length does not affect the settling time; however, change in the nanowire radius shows the significant effect on the settling time. In the nutshell, the nanowire length and radius significantly affect the performance parameters of the FET based silicon nanowire biosensor.У даній статті ми моделювали біосенсор у вигляді кремнієвого нанодроту на основі польового транзистора і вивчали вплив довжини та радіусу нанодроту на різні функціональні характеристики біосенсора. Для цього дослідження ми використали інструмент моделювання BioSensorLab з відкритим вихідним кодом. Зокрема, ми вивчали вплив довжини і радіусу нанодоту на модуляцію провідності по відношенню до щільності молекул-мішеней, модуляцію провідності щодо концентрації буферних іонів, варіацію потенціалу поверхні нанодроту щодо рН, зміну відношення сигнал/шум щодо щільності рецептора, варіацію часу осадження щодо концентрації і зміну щільності захопленої молекули щодо часу виявлення. Ми взяли до уваги електростатичну взаємодію між молекулами рецептора і біомолекулами-мішенями, що базується на моделі дифузійного захоплення. Результати показали, що більш високу модуляцію провідності можна досягти при більш високій щільності молекул-мішеней з більшим радіусом кремнієвого нанодроту. З іншого боку, максимальна модуляція провідності спостерігається при меншому радіусі кремнієвого нанодроту з меншою концентрацією буферних іонів. Результати моделювання показали, що поверхневий потенціал нанодроту має тенденцію до зменшення, оскільки величина рН зростає в обох випадках (довжина і радіус нано-дроту). У свою чергу, істотного впливу на відношення сигнал/шум через зміну довжини і радіусу нанодроту не спостерігалося. Було також виявлено, що довжина нанодроту не впливає на час осадження, проте на нього значним чином впливає зміна радіуса нанодроту. Таким чином, довжина і радіус нанодроту суттєво впливають на робочі параметри біосенсора на базі польового транзистора

Дослідження моделювання постійного, змінного та перехідного струмів кантілівера MEMS

Робота присвячена дослідженню моделювання постійного, змінного та перехідного струмів кантілівера MEMS. У роботі моделюється прямокутна система відкритого типу. У даному випадку ми змінювали довжину кантілівера MEMS (платиновий електрод) і вивчали його вплив у наступних випадках: i) вплив напруги на ємність і положення променю (аналіз постійного струму), ii) положення променю у часовій області, ємність і напруга (аналіз змінного струму) та iii) положення променю у часовій області, ємність і напруга (аналіз перехідних процесів). Результати показали, що довжина активного електрода кантілівера MEMS значно впливає на продуктивність MEMS. Крім того, напруга на кантілівері MEMS лінійно зростає з часом і виявилося, що вона не залежить від довжини електрода і діелектричних матеріалів, які використовувалися в розглянутій системі.The present reports deals with the DC, AC, and transient simulation study of MEMS cantilever. The open-ended rectangular system is simulated in the present investigation. In the present case, we have varied the length of MEMS cantilever (platinum electrode) and studied its effect on the following cases: i) the effect of voltage on the capacitance and beam position (DC analysis), ii) time domain beam position, capacitance, and voltage (AC analysis), and iii) time domain beam position, capacitance, and voltage (transient analysis). The results suggested that the length of an active electrode of MEMS cantilever significantly affects the MEMS performance. In addition, the voltage of MEMS cantilever linearly increases with respect to time and it was found to be independent of the electrode length and dielectric materials, which were used in the considered system

Залежні від форми оптичні властивості квантової точки GaAs: модельне дослідження

The present paper deals with the simulation study of the GaAs quantum dot with different shapes such as cuboid, cylinder, dome, cone, and pyramid. We have simulated various structures and investigated the shape dependent optical properties using open source simulation tool available on the NanoHub platform. This simulation tool can simulate the simple as well as multilayer zero-dimensional structures by solving Schrödinger equations. The results suggested that the energy states vary according to the shape and higher energy states are observed for cone-shaped whereas, cuboid shape shows lower energy states for zero-dimensional structure. Furthermore, optical simulation study suggested that the cuboid and cylinder shapes show maximum absorption whereas, minimum absorption is observed for the dome-shape. The higher absorption is due to the higher surface area of cuboid and cylinder shape, whereas, the insufficient polarization angle of the incident light lowers the absorption for the dome shape structure. Furthermore, the absorption property is not significantly altered during different temperature environments. The integrated absorption results suggested that the cuboid and cylinder shapes have higher absorption whereas, minimum integrated absorption is observed for the cone and pyramid shape zero-dimensional structures. The present results pave the way towards optimization of various parameters of quantum dot for optoelectronic applications.У роботі розглянуто моделювання квантової точки GaAs з різними формами, такими як кубічна, циліндрична, куполоподібна, конусоподібна і пірамідальна. Проведено моделювання різних структур і досліджено оптичні властивості в залежності від форми квантової точки, використовуючи інструмент моделювання з відкритим вхідним кодом, доступний на платформі NanoHub. За його допомогою мож- на моделювати як прості, так і багатошарові структури нульової розмірності, розв’язуючи рівняння Шредінгера. Отримані результати свідчать про те, що енергетичні стани змінюються в залежності від форми квантової точки, для конусоподібних точок спостерігаються більш високі енергетичні стани. Крім того, моделювання показало, що кубічна і циліндрична форми мають максимальне поглинання, тоді як мінімальне поглинання спостерігається для куполоподібної форми. Більш високе поглинання відбувається за рахунок більшої площі поверхні кубічної і циліндричної форм, тоді як недостатній кут поляризації падаючого світла знижує поглинання для структури куполоподібної форми. Крім того, поглинальна властивість суттєво не змінюється при різних температурах середовища. Результати інтегрованого поглинання показали, що кубічна і циліндрична форми мають більш високе поглинання, тоді як мінімальне поглинання спостерігається для конусоподібної і пірамідальної форм структур нульової розмірності. Наведені результати відкривають шлях до оптимізації різних параметрів квантової точки для оптоелектронних приладів