Simulation of the Optical Properties of Multilayer Structures Containing Layers of Porous Silicon and Optical Coatings

Моделируются оптические процессы отражения и пропускания в многослойной структуре, содержащей слои пористого кремния и оптические покрытия. Показано, что использование пористого кремния и пленок фторида диспрозия и сульфида цинка может значительно улучшить основные оптические характеристики светочувствительной структуры. Optical processes of reflection and transmission in a multilayer structure containing layers of porous silicon and optical coatings are modelled. It is shown that the use of porous silicon and films of dysprosium fluoride and zinc sulphide can significantly improve the basic optical characteristics of the photosensitive structure

The influence of technological parameters on the optical properties of photosensitive structures based on porous silicon

Мы изучаем фоточувствительные структуры, содержащие слои пористого кремния, изготовленные по различным технологическим маршрутам. Исследованы спектральные характеристики коэффициента отражения структур с пористым слоем и их фоточувствительность. Показано влияние диффузии на оптические свойства структур. We study photosensitive structures containing porous silicon layers made on different technological routes. The spectral characteristics of the reflection coefficient of structures with a porous layer and their photosensitivity are investigated. The effect of diffusion on the optical properties of structures

Simulation of the Pore Formation Process on Silicon Wafers with a Textured Surface

В работе представлено исследование механизма порообразования на кремниевых пластинах (100) с текстурированной поверхностью p-типа проводимости и удельным сопротивлением 5 Ом см при электролитическом травлении в гальваностатическом режиме в растворах плавиковой кислоты в соотношении HF:C2H5OH (1:1). Учтено влияние электрического поля на процесс формирования пористых структур. Получено экспериментальное согласование модели распределения поля в электролите и распределения удельного сопротивления по поверхности кремниевой пластины. Подтверждено, что формирование пор начинается и продолжается между стыками пирамид, т.е. в областях на поверхности с максимальной напряженностью поля. In this work, we received a map of the distribution of the potential field of the surface layer during the electrochemical etching of silicon. A comparison was made of the field distribution in cells with different types: horizontal and vertical. The rate and direction of electrolyte, flowing though the pores of different forms, is shown