Strong normal-incidence infrared absorption in self-organized InAs/InAlAs quantum dots grown on InP(001)

International audienceInAs self-assembled quantum dots in InAlAs matrix grown on InP001 substrates have been fabricated using Stranski-Krastanov growth mode. A strong in-plane polarized intraband absorption in the 10.6-20 m wavelength region has been observed and ascribed to a transition from the ground electron state to an excited state confined in the layer plane along the 110 direction. The absorption at normal-incidence reaches 7.8% for ten layers of n-doped quantum dots. The oscillator strength of the intraband transition is comparable to that achieved in quantum wells for a conduction band intersubband transition. The dependence of the intraband absorption on carrier concentration and temperature suggests a quantum-wire type confinement potential

Room-temperature InAs/InP Quantum Dots laser operation based on heterogeneous “2.5 D” Photonic Crystal

International audienceThe authors report on the design, fabrication and operation of heterogeneous and compact "2.5 D" Photonic Crystal microlaser with a single plane of InAs quantum dots as gain medium. The high quality factor photonic structures are tailored for vertical emission. The devices consist of a top two-dimensional InP Photonic Crystal Slab, a SiO 2 bonding layer, and a bottom high index contrast Si/SiO 2 Bragg mirror deposited on a Si wafer. Despite the fact that no more than about 5% of the quantum dots distribution effectively contribute to the modal gain, room-temperature lasing operation, around 1.5µm, was achieved by photopumping. A low effective threshold, on the order of 350µW, and a spontaneous emission factor, over 0.13, could be deduced from experiments

Projet INSCOOP: Intégration de Nanofils III-V sur SOI pour COnnections Optiques sur Puce

November 12-14, 2014International audienceno abstrac

Intégration de Nanofils III-V sur SOI pour COnnections Optiques sur Puce

November 14, 2014International audienceno abstrac

InAs/InP nanowires for silicon photonics: toward self-catalyzed growth?

October 29-31, 2014International audienceno abstrac

Nanostructurations de surfaces pour la localisation et l'organisation d'îlots quantiques InAs/InP(001)

La@croissance épitaxiale auto-organisée de boîtes quantiques (BQ) ne permet pas d'exploiter pleinement ces nanostructures, en raison d'une trop grande fluctuation de taille et d'une répartition spatiale trop aléatoire. Modifier les surfaces de croissance en créant des sites de nucléation préférentiels aparaît comme une des voies pouvant conduire à la fabrication de réseaux denses et réguliers de BQ, ou à la localisation spatiale de "boîtes uniques". La nanolithographie STM a été ulilisée pour modifier des surfaces d'AIInAs ou d'InAs épitaxiées sur InP(001). Des trous d'environ 15 nm de diamètre et de 2,5 nm de profondeur ont été formés. Des réseaux réguliers de "nano-trous" ont été fabriqués par FIB sur des surfaces d'InP, avec des résolutions permettant l'organisation de BQ. Le S.T.M. connecté à la chambre d'épitaxie par jets moléculaires, semble être une méthode adaptée à l'organisation de BQ isolées, alors que le F.I.B. permettrait la fabrication de réseaux denses de BQ.Controlling the nucleation of semi-conductor quantum dots is of main interest as the self-organized method is unable to produce size-controlled nanostructures at intented positions. The site-controlled self-organization method is based on the enhancement of nucleation at specified positions. This can be caused by local modification of the growth surface. The STM tip was used to modify alinas and InAs/AIInAs/InP(001) MBE-grown surfaces. Holes with diameter of 15nm and depth of 2,5 nm were formed, and should be suitable for an use as nucleation site. 2D-organized arrays of submicron holes stables with temperature were formed bu FIB on InP surfaces : resolutions obtained should permit localization of QD. The STM, connected in UHV to the growth chamber, seems to be a suitable method for the fabrication of idolated quantum dots, whereas FIB fonctionnalized surfaces can lead to the formation of regular dense arrays of nanastructures.LYON-Ecole Centrale (690812301) / SudocSudocFranceF

Description des Neritimorpha (Gastropoda) du Lias inférieur du Sud Vendée

International audienceResearches carried out in the lower Lias of the South Vendée around 1900 and 1930 by Chartron and Ters-Fouyé, respectively, and recently by one of us (M.C.), allowed the discovery of an Hetangian-Sinemurian fauna of brachiopods, gastropods, bivalves, echinoids and Dasycladaceae algae. Among the gastropods, four species of Neritimorpha are briefly described in this workDes recherches effectuées dans le Lias inférieur du Sud Vendée aux environs de 1900 et de 1930 par C. Chartron et M. Ters-Fouyé et récemment par l’un de nous (M.C.), ont permis de découvrir une faune d’âge hetangien ousinémurien comprenant des brachiopodes, des gastéropodes, des bivalves, des échinides et des algues dasycladacées.Parmi les gastéropodes, quatre espèces de Neritimorpha sont brièvement décrites dans ce travail

Croissance localisée de boîtes quantiques d'inas sur une surface nanostructurée d'INP (001) pour une application en composants photoniques

LYON-Ecole Centrale (690812301) / SudocSudocFranceF

Croissance auto-organisée de fils et boîtes quantiques d'InAs / InP(001) pour composants optoélectroniques

DANS LES COMPOSANTS A BASE DE SEMICONDUCTEURS III-V, LA REDUCTION DES ZONES ACTIVES A DES DIMENSIONS NANOMETRIQUES CONDUIT A UNE AMELIORATION DE LEURS PERFORMANCES. AINSI, LES PROPRIETES DE CONFINEMENT QUANTIQUE DES FILS ET BOITES QUANTIQUES ONT OUVERT DE NOUVELLES VOIES POUR LA REALISATION DES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES ET PHOTONIQUES. LE PROCEDE UTILISE, POUR LA REALISATION DE CES NANOSTRUCTURES, EST LE MODE DE CROISSANCE TRIDIMENSIONNEL DES COUCHES CONTRAINTES QUI CONDUIT A LA FORMATION D'ILOTS 3D DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES. IL S'AGIT D'UTILISER LE DESACCORD DE MAILLE CRISTALLINE ENTRE UNE COUCHE EPITAXIALE ET SON SUBSTRAT POUR FAIRE CROITRE ET S'ORGANISER SPONTANEMENT DES ILOTS QUANTIQUES SUR DES SUBSTRATS PLANS. CE TRAVAIL CONCERNE LA CROISSANCE AUTO-ORGANISEE D'ILOTS D'INAS SUR SUBSTRAT D'INP(001) PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. LEUR MORPHOLOGIE (TAILLE, FORME, REPARTITION) A ETE CARACTERISEE PAR MICROSCOPIE A FORCE ATOMIQUE ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET LEURS PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES (CONFINEMENT, ENERGIES DES TRANSITIONS INTER- ET INTRA-BANDES, POLARISATION) PAR PHOTOLUMINESCENCE. LE ROLE JOUE SUR L'AUTO-ORGANISATION DES ILOTS, D'UNE PART PAR LA COUCHE TAMPON ET LA COUCHE D'ENCAPSULATION, ET D'AUTRE PART PAR LES CONDITIONS DE CROISSANCE DES ILOTS D'INAS A ETE CLAIREMENT MIS EN EVIDENCE. CHOISIR LA NATURE ET LA MORPHOLOGIE DE LA COUCHE TAMPON ET CONTROLER LA RECONSTRUCTION DE SURFACE DE L'INAS A PERMIS D'INTERVENIR EFFICACEMENT SUR LES SITES DE NUCLEATION ET LA FORME DES ILOTS, ET DONC SUR LEUR AUTO-ORGANISATION. L'IMPORTANCE DES EFFETS D'ALLIAGE, EN PARTICULIER LES ECHANGES CHIMIQUES AUX INTERFACES, A AUSSI ETE SOULIGNE. LA MAITRISE DES ECHANGES CHIMIQUES A CONSIDERABLEMENT AMELIORE LES PROPRIETES DE CONFINEMENT, CONDUISANT A UNE AMELIORATION DES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES. CES PROPRIETES DES ILOTS QUANTIQUES D'INAS/INP(001) ONT ETE EXPLOITEES POUR LA FABRICATION DE PHOTODETECTEURS INFRAROUGE INTRABANDES ET DE MICROSOURCES LASER.LYON-Ecole Centrale (690812301) / SudocSudocFranceF

Epitaxie et gravure d'hétérostructures Si/Si1-xGex pour applications dans les technologies MOS

La réduction continue des dimensions des dispositifs en microélectronique risque de ne plus être suffisante dans un futur proche pour suivre la tendance d'amélioration de ces trente dernières années. En cela, un fort intérêt est actuellement accordé aux voies alternatives de progrès. L'amélioration des propriétés des matériaux utilisés, entre autres grâce aux contraintes, ainsi que l'emploi de nouveaux matériaux, font partie des solutions les plus à l'étude. L'amélioration des propriétés des matériaux monocristallins peut être étudiée grâce a l'épitaxie en phase vapeur. Cette technique permet également d'envisager l'utilisation de nouveaux matériaux, tel que l'alliage Si1-xGex, contraint ou non, sur substrats silicim. Après avoir rappelé les principales caractéristiques de l'épitaxie du silicium-germanium, nous présenterons la croissance des couches épitaxiées de Si1-xGex relaxées sur substrats Si. Ces couches relaxées seront ensuite utilisées comme support pour mettre dans un état de contrainte en tension ou en compression de fines couches de Si1-xGex (0 <=x <=1).The continuous shrinking of devices dimensions in microelectronics will likely not be sufficient enough in a near future to follow the trend of improvements of these last thirty years. In that, a strong interest is currently granted to the alternative ways of progress. Enhancing the materials properties, thanks to strain, and using new materials, are among the most studied solutions. Improving the properties of single-crystal materials can be conducted thanks to chemical vapor deposition. This technique also makes it possible to consider the use of new materials, such as Si1-xGex alloy, strained or not, on silicon substrates. After a review of the major characteristics of Si1-xGex epitaxy, we will present results on the growth of relaxed Si1-xGex layers on silicon substrate. Those relaxed layers will befurther used as template to induce some tensile or compressive strain in Si1-xGex (0 <=x <=1) thin layers.LYON-Ecole Centrale (690812301) / SudocSudocFranceF