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THEORETICAL STUDY OF 100 GHz GaAs TRANSFERRED-ELECTRON DEVICES
Des simulations numériques du comportement de dispositifs à transfert électronique à l'AsGa ont été effectuées grâce à un modèle prenant en compte les effets de dynamique électronique non stationnaire ainsi que les phénomènes de diffusion. Des résultats concernant les diodes Gunn fonctionnant à 100 GHz sont donnés et commentés.Computer simulations of GaAs Transferred Electron Devices have been performed using a model which includes relaxation effects as well as spatial dependence. Some results are presented and discussed for 100 GHz GaAs short Gunn diodes