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    THEORETICAL STUDY OF 100 GHz GaAs TRANSFERRED-ELECTRON DEVICES

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    Des simulations numériques du comportement de dispositifs à transfert électronique à l'AsGa ont été effectuées grâce à un modèle prenant en compte les effets de dynamique électronique non stationnaire ainsi que les phénomènes de diffusion. Des résultats concernant les diodes Gunn fonctionnant à 100 GHz sont donnés et commentés.Computer simulations of GaAs Transferred Electron Devices have been performed using a model which includes relaxation effects as well as spatial dependence. Some results are presented and discussed for 100 GHz GaAs short Gunn diodes

    GaAs MESFET injection planar Gunn diode optronic applications

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