(A) 2Gbps CMOS Decision Feedback Equalizing Receiver Circuit with Clock-Data Skew Compensation for Chip to Chip Communication

Docto

솔잎혹파리 및 2종 기생봉의 월동후 발육에 관한 연구

Thesis (master`s)--서울대학교 대학원 :농생물학과 곤충학전공,1999.Maste

필름용 압출다이의 최적설계를 위한 삼차원 유한요소 유동해석

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :화학공학과,1996.Maste

HIGHLY SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR TYPE BIO SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

본 발명은 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 기판의 형상을 구조적으로 변경하여 소자의 구동 전류 및 바이오 감지 타겟 물질과의 물리적 접촉 면적을 증가시키고 전기적 성능을 향상시킨 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서를 제공한다. 본 발명에 의하면, 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서의 반도체 기판 형상의 구조적 개선하여 전기적 성능의 향상을 통해 높은 S/N비(신호 대 잡음비)를 구현하여 재현성 및 그 정확도를 높일 수 있다.반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막 을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 게이트 전극 상에는 기준 전극(Reference electrode)이 형성되고, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서.반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막 을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 게이트 전극 상에는 기준 전극(Reference electrode)이 형성되고, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서.반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막 을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 게이트 전극 상에는 기준 전극(Reference electrode)이 형성되고, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서.반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막 을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 게이트 전극 상에는 기준 전극(Reference electrode)이 형성되고, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서.반도체 기판 위에 적층된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 절연막과 접촉하며 양측에 형성된 소스 및 드레인 영역; 및 상기 게이트 전극 위에 형성된 바이오 감지막 을 포함하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서에 있어서, 상기 게이트 전극 상에는 기준 전극(Reference electrode)이 형성되고, 상기 반도체 기판은 선정된(predetermined) 하나 이상의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터형 바이오센서

PLATE-SHAPED COVERING STRUCTURE FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR TYPE SENSOR SYSTEM AND FIELD EFFECT TRANSISTOR SENSOR SYSTEM FORMED OF THE SAME

본 발명은 전계효과 트랜지스터형 센서시스템의 판상 덮개 구조체 및 상기 구조체가 구현된 센서시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액체시료 분석용 전계효과 트랜지스터형 센서시스템의 기준 전극이 판상 덮개의 내부 상판 면에 형성된 판상 덮개 구조체 및 상기 구조체가 구현된 센서시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, Lab On a Chip(LOC) 또는 Micro-Total Analysis(u-TAS) 등과 같은 미세 유체 채널을 가지는 시스템에서 전계효과 트랜지스터형 바이오센서에 전기적으로 안정적인 게이트 기준 전압을 제공하여 출력신호의 신뢰성을 높일 수가 있다.기준 전극으로 사용되는 금속 전극이 형성된 상판과, 상기 상판을 지지하는 지지대 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체.기준 전극으로 사용되는 금속 전극이 형성된 상판과, 상기 상판을 지지하는 지지대 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체.기준 전극으로 사용되는 금속 전극이 형성된 상판과, 상기 상판을 지지하는 지지대 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 액체 시료 분석용 센서시스템을 위한 판상 덮개 구조체

Trifluoroacetophenone Derivatives and Processes for Measuring Carbonate Ions Using the Same by ＳＰＲ

본 발명은 다음 화학식 1 또는 화학식 2의 트리플루오로아세토페논 유도체에 관한 것이다: 화학식 1 화학식 2 또한, 본 발명은 상기 유도체가 표면 코팅된 고체 기질 및 이를 이용한 카보네이트 이온의 측정방법에 관한 것이다.다음 화학식 1의 트리플루오로아세토페논 유도체: 화학식 1 [이미지] 상기 화학식에서, R은 에스테르기이고, X5-X8은 서로 독립적으로 H, 할로, 히드록시, C1-C6 알킬기 또는 C1-C6 알콕시기이며, n은 1-24의 정수이다.다음 화학식 1의 트리플루오로아세토페논 유도체: 화학식 1 [이미지] 상기 화학식에서, R은 에스테르기이고, X5-X8은 서로 독립적으로 H, 할로, 히드록시, C1-C6 알킬기 또는 C1-C6 알콕시기이며, n은 1-24의 정수이다.다음 화학식 1의 트리플루오로아세토페논 유도체: 화학식 1 [이미지] 상기 화학식에서, R은 에스테르기이고, X5-X8은 서로 독립적으로 H, 할로, 히드록시, C1-C6 알킬기 또는 C1-C6 알콕시기이며, n은 1-24의 정수이다.다음 화학식 1의 트리플루오로아세토페논 유도체: 화학식 1 [이미지] 상기 화학식에서, R은 에스테르기이고, X5-X8은 서로 독립적으로 H, 할로, 히드록시, C1-C6 알킬기 또는 C1-C6 알콕시기이며, n은 1-24의 정수이다.다음 화학식 1의 트리플루오로아세토페논 유도체: 화학식 1 [이미지] 상기 화학식에서, R은 에스테르기이고, X5-X8은 서로 독립적으로 H, 할로, 히드록시, C1-C6 알킬기 또는 C1-C6 알콕시기이며, n은 1-24의 정수이다

An 8GB/s Quad-Skew-Cancelling Parallel Transceiver in 90nm CMOS for High-Speed DRAM Interface

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A Crosstalk-and-ISI Equalizing Receiver in 2-Drop Single-Ended SSTL Memory Channel

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