微电子与光电子集成技术

微电子技术与光电子技术紧密结合，相互渗透，必将推进信息技术及相关的高新技术进入新的发展阶段。本书共分为9章，从技术基础和实际应用的角度出发，着重对微电子与光电子集成技术相关的工艺基础、基本原理和关键集成技术进行了详细阐述，主要内容包括光发射器件、光电探测器、光波导器件、光电子专用集成电路、硅基光电子集成回路、甚短距离光传输技术以及微电子与光电子混合集成技术等。 微电子与光电子集成技术的实用化进程，必将为21世纪科学技术的发展作出重大贡献。然而，微电子与光电子集成技术是信息技术发展的一个崭新方向，虽然各项关键技术的发展取得了一定的进步，但还存在诸多难题需要进一步解决和完善。 本书主要为从事集成光电子和光通信等相关技术研究的科研人员提供参考

甚短距离光传输技术

本书从光电子器件及其在光通信领域的应用出发，介绍了甚短距离光传输技术的组成、原理、实现方案、技术性能、关键技术以及在高速互连领域内的应用等。本书重点阐述了垂直腔面发射激光器的原理、工艺和特性；10gb/s和40gb/s传输方案的具体实现及其性能指标；甚短距离光传输涉及到的各项关键技术，如新型多模光纤技术、cwdm复用技术、硅探测器技术、高速光电集成(oeic)技术以及相关高速网络技术等

实现微电极阵列与PCB电路柔性连接的方法

本发明公开了一种实现微电极阵列与PCB电路柔性连接的方法，该方法包括:制作PCB接口板;将弹簧针插座焊接在该PCB接口板上，并将弹簧针针体插在插座上构成弹性针床;将弹簧针针体的头部对准微电极阵列接口电极，通过紧固螺丝压缩弹簧针，将弹簧针针体的头部与电极形成接触连接;将弹簧针插座端的引线与电生理信号放大器和刺激器进行连接，引线端与中心部分微电极一一对应，实现微电极阵列和外围电路的电气连接。本发明缩短了微电极阵列接口板的制作周期，节约了制作成本，针床与电极接触良好而不磨损电极表面金属层，电极的导电性能不受影响，延长了微电极阵列寿命

一种光学无线多目标控制系统

本发明公开了一种集成照明、通信、控制功能于一体的光学无线多目标控制系统，该系统在照明的同时能实现光学无线通信和控制功能，包括硬件电路部分和软件设计部分，硬件电路部分包括发射机硬件电路和接收机硬件电路，发射机硬件电路包括半导体照明光源、光源驱动电路和光源调制电路，接收机硬件电路包括光电探测器、放大及解调电路、继电器开关、控制指令代码处理部分和受控设备；软件设计部分包括发射端软件设计和接收端软件设计。利用本发明，可以把控制指令、文本、语音、视频等多媒体信号以及网页信息通过半导体照明灯以光学无线的方式发送出去，实现无电磁污染的光学无线控制和多媒体信息的光学无线广播

应用于植入式神经信号记录的高速低功耗信号传输方法

本发明公开了一种应用于植入式神经信号记录的高速低功耗信号传输方法。在植入式神经信号记录微系统中，神经信号记录微电极，神经信号预处理电路和发射机集成在一起，并植入到人的体内。神经信号记录微电极提取神经信号，经过预处理电路的处理，由发射机通过微电极将信号传递到人体，利用人体自身作为信号传输媒介，通过这种体信道传输的方式将神经信号传输到体外。在外界通过微电极探测信号，然后通过接收机将信号传递给外部设备。本发明可以实现高传输速率的同时，还可以实现低功耗的信号传输

一种硅基正向注入发光器件及其制作方法

本发明公开了一种硅基正向注入发光器件及其制作方法，该器件包括：P型硅衬底；嵌入于该P型硅衬底中的N阱；由N+重掺杂有源区与P+重掺杂有源区交替构成的U形梳状结构，该U形梳状结构剖面为N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+的结构，嵌入于N阱中；位于N阱环形周围的一个P+重掺杂有源区，该P+重掺杂有源区嵌入于P型硅衬底中，构成P+衬底接触；位于器件P+-P+之间上方的SiO2栅氧化层；位于该SiO2栅氧化层上的多晶硅栅，该多晶硅栅为条状U形结构；所述N+重掺杂有源区通过金属与阴极连接，所述阱中的P+重掺杂有源区、P+间的多晶硅栅和N阱外侧的P+衬底接触通过金属连接引出阳极。利用本发明，采用P型衬底和N阱内P+重掺杂有源区均向阴极进行双重注入实现PN结正向发光