激光诱导NO_2分子500?532nm区荧光激发谱的实验研究

用准分子激光抽运可调谐染料窄带激光测定了室温下NO_2分子500-532nm区高分辨荧光激发谱，在两个较强吸收区505-510nm和512-520nm范围内标识了25个振动带，并作了转动分析，得到了相应的带头位置、转动常数和旋-转偶合常数等分子光谱常数，在25个振动带中有5个谱带是新发现的，所有得到转动分析的谱线均属于平行跃迁↑～X ~2A_1-↑～A ~2B_2，对实验结果的分析表明电子激发态↑～A ~2B_2受到基态 ↑～X ~2A_1高振动能级的强烈扰动

室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半导体的氮化反应。碱金属与Ⅲ-V族半导体衬底之间存在界面反应似乎是催化氮化反应顺利进行的必要...中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)004622-62

同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响

利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响,通过P2p、In 4d芯能级谱的变化,对Na/InP(100)表面的氮化反应的研究表明,碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用,即使采用N_2/Na/N_2/Na/N_2/Na/InP(100)的类多层结构,在室温下也只有极少量的氮化物形成,而无明显的催化氮化反应发生.碱金属吸附层对III-V族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制,碱金属对元素半导体的催化氮化反应,吸附的碱金属与元素半导体衬底之间无需界面反应发生,而碱金属吸附层和III-V族半导体衬底之间发生界面反应而形成的表面缺陷在III-V族半导体的催化氮化反应过程中具有重要的作用