75 research outputs found

    快重离子引起的辐照效应

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    用PAT、CEMS、SEM和TEM分析观测了HIRFL提供的能量为几十MeV到几百MeV的碳离子在Ni、马氏体时效不锈钢、HT—9铁素体钢和316L不锈钢中引起的辐照效应,包括辐照引起的偏析、脱溶、相变和肿胀,以及辐照肿胀随辐照温度的变化关系,研究了510MeV的碳离子在高纯Ni中的损伤分布,并给出了95MeV的Ar离子模拟宇宙射线在宇宙飞行器中引起数字半导体器件“软故障”的最近结果

    固体材料中快重离子辐照损伤建立过程中的离子速度效应

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    快重离子辐照损伤建立过程中的离子速度效应是近年来才发现的,离子速度效应是指快重离子在固体材料中引起辐照损伤的损伤截面,损伤效率和损伤形貌的离子速度相关性,简要介绍了固体材料中快重离子辐照损伤建立过程中离子速度效应的发现、研究现状和主要实验结果,并进行了尝试性评价

    中科院近物所的SHIM物理研究

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    简要介绍了 SHIM物理及其近 1 0年来国际研究的最新进展 ,重点介绍了中国科学院近代物理研究所在该学科研究中所获得的部分最新研究结果 ,展望了 SHIM物理的发展趋

    快重离子在凝聚态物质中引起的效应——电子能损效应

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    简述了快重离子在凝聚态物质中引起的效应——电子能损效应,主要包括缺陷的产生和潜径迹的形成、各向异性的塑性形变、由弹性碰撞产生的缺陷的部分退火、相变(非晶化),以及尝试性的理论解释.Swift heavy ion induced effects in condensed matter, the electronic energy loss effects, which mainly include defect creation and latent track formation, anisotropic deformation, partial annealing of defects created by nuclear collisions and phase transformation (amorphization) as well as tentative mokels:the ion explosion spike model and the thermal spike model, are reviewed.国家自然科学基金,中科院重点项目基金,甘肃省自然科学基金,中科院留学回国择优支持基金,中科院兰州分院基

    放射性束在固体物理和材料科学中的应用

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    回顾了放射性核素在固体物理和材料科学中的应用,并对高能放射性束流的应用前景作了展望.The application of radioactive isotopes to solid state physics and material science is reviewed and the perspectives with high energy radioactive ion beams are discussed.中国科学院“九五”重点项目基

    金属材料中高能重离子辐照效应的理论描述

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    简要介绍了高能重离子在金属材料中引起辐照效应的主要理论 ,特别是与电子能损引起的缺陷产生与演化、离子潜径迹形成、辐照相变以及各向异性塑性形变等效应相应的理论描

    离子注入制备量子光电材料的研究

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    对由量子限域效应引起的硅纳米晶粒的强烈光致发光现象、离子注入技术制备量子光电材料及其在光电子器件应用领域的优势和前景作了评述和探讨.The strong photoluminescence (PL) of Si nanocrystals origined from the quantum confined effect, the preparation of quantum optoelectronic material by ion implantation as well as the advantages if its application to optoelectronic devices are reviewed and discussed.中国科学院重点项目基

    快重离子辐照效应的穆斯堡尔谱学研究

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    概述了利用穆斯堡尔效应开展的固体材料快重离子辐照效应研究的部分结果 ,并对建立在兰州重离子加速器 (HIRFL)上的在束穆斯堡尔谱学研究装置及其应用作了简要的介

    高能氩离子在钇铁柘榴石中引起的非晶化研究

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    <正> 用倾斜样品X-射线衍射学(STD)和饱和磁化强度测量,研究了960MeV氩离子低温(195K)辐照多晶钇铁柘榴石Y_3Fe_5O_(12)(YIG)所引起的非晶化过程。分析结果表明,960MeV氩离子引起YIG晶态→非晶态转变是一个逐步的过程,在这个过程中电子能损起

    新型硅基蓝-紫光发光材料

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    本实用新型步及一种新型硅基蓝-紫光发光材料,该发光材料是在单晶硅基片层上设有发光层,在发光层上设有薄膜保护层;本实用新型的性能稳定且发光效率较高,另本实用新型可发出蓝-紫光
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