一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法

本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法,包括步骤:Ⅰ、对GaN样品台面进行第一次刻蚀,形成台阶状的样品结构;Ⅱ、在台阶上方的p区或n区的台面上制作微结构掩模层并进行第二次台面刻蚀形成纳米柱阵列,同时露出与台阶下方台面相一致的n区或p区;Ⅲ、对带纳米柱阵列的GaN样品旋涂填充物,使之平面化;Ⅳ、在对应于纳米柱阵列的平面化GaN样品表面制作电流扩展层;Ⅴ、在电流扩展层表面及台阶下方台面上沉积金属,制作n/p电极。本发明基于传统工艺作出调整,能有效避免台阶下方电极区粗糙,使淀积的金属粘附性增强,不易剥落;提高了电学连接的稳定性和器件的可靠性;同时该制作方法还具有简单快捷,普适性强的特点

原位合成AlN及添加钇的复合AlN粉体

以Al-Mg和Al-Mg-Y合金为原料，通入高纯度的氮气，利用原位合成法制备了AlN粉体及含烧结助剂的复合AIN粉体。合金氮化产物的组织排列疏松，有利于粉化。粉化后的AlN粉体纯度较高，含氧量为1.23%，平均粒径为6.78μm, 物相为单相AIN；复合AIN粉体物相组成为AIN主相与稀土钇的氧化物烧结助剂Y2O3相。粒径分布曲线呈双峰现象，从提高粉体的充填系数角度考虑，具有这种粒径分布的粉体有利于烧结致密化

Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体

高纯度的氮气中，以Al-Mg-Y合金为母合金，利用Lanxide技术合成了含烧结助剂 Y_2O_3的复合AIN粉体．通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征．实验结果表明，合金氮化反应完全，氮化产物疏松易于粉化．粉化后获得的复合AIN粉体具有纯度高，氧杂质含量低，粒度细小等优点

使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性（英文）

使用四圆衍射仪和双晶衍射技术，分析了SiC体单晶的结构和极性。SiC单晶体由化学气相淀积法获得。六方{10-15}极图证明了该单晶结构为6H型。三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该单晶的Si终端面和C终端面，即极性面。两个面的一、二、三级衍射强度的测量比值与经过散射因子修正后计算的结构振幅平方比值｜F(000L)｜~2/｜F(000-L)｜~2非常吻合。因此，利用极性面的衍射强度差异，可以方便、严格地判断具有类似结构如2H{0001}、4H{0001}及3C-SiC{111}的极性

横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究

采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al_2O_3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN（0001）晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半，这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时，还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸

含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作

提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10

基于纳米柱阵列的光电器件及其制作方法

一种基于纳米柱阵列结构的光电器件及其制作方法。该光电器件包括表面具有纳米柱阵列结构的n型或p型半导体层,该纳米柱阵列上依次生长有垂直结构有源区和横向连续无裂痕的p型或n型区,该p型或n型区上覆设电流扩展层,该n型或p型半导体层和电流扩展层上还分别设有电极;该方法包括对纳米柱阵列模板进行填充、平面化,制作有源区、p型或者n型区、电流扩展层和电极等步骤。本发明解决了传统纳米结构光电器件在制作金属电极时引发的漏电流问题,也能有效防止“自上而下”制备工艺中刻蚀对有源区的表面损伤和“自下而上”制备方法中纳米结构取向不一致的问题,使器件不仅具有纳米结构特性,而且提高了器件成品率及其电学稳定性和可靠性