多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究

利用X射线双晶衍射方法, 对从同一Si(Ⅲ)基片下切割的两块样品, 在不同电解电流密度下, 腐蚀形成的多孔硅层相对于基体硅的晶格畸变进行了分析。这两块样品晶格的畸变明显不同, 其中电流密度较小的样品畸变较大, 其多孔硅层相对于基体硅在垂直和平行于晶体表面的方向上, 晶格有不同程度的膨胀, 搁置一段时间后, 两者晶格渐渐匹配, 但存在着弯曲。两者的(Ⅲ)晶面取向亦有偏差。电流密度较大时多孔硅层较厚, 其双晶反射强度很低, 且弥散地迭加在基体硅反射峰上

室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半导体的氮化反应。碱金属与Ⅲ-V族半导体衬底之间存在界面反应似乎是催化氮化反应顺利进行的必要...中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)004622-62

同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响

利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响,通过P2p、In 4d芯能级谱的变化,对Na/InP(100)表面的氮化反应的研究表明,碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用,即使采用N_2/Na/N_2/Na/N_2/Na/InP(100)的类多层结构,在室温下也只有极少量的氮化物形成,而无明显的催化氮化反应发生.碱金属吸附层对III-V族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制,碱金属对元素半导体的催化氮化反应,吸附的碱金属与元素半导体衬底之间无需界面反应发生,而碱金属吸附层和III-V族半导体衬底之间发生界面反应而形成的表面缺陷在III-V族半导体的催化氮化反应过程中具有重要的作用