31 research outputs found

    一种高纯碳化硼粉体的制备方法

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    一种高纯碳化硼粉体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:①取六方氮化硼和石墨粉以4∶1的摩尔比均匀混合;②在气氛保护下,反应1~3小时,控制温度1800~2300℃。与现有技术相比,本发明的优点在于:经过测试所得碳化硼纯度达到99.6wt%以上,满足对高纯度碳化硼的需求,另外,整体工艺步骤简单,占地面积小,设备容易获得,易于产业化

    武汉东湖轮虫种类组成及其分类讨论

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    作者根据Koste(1978)提出的轮虫分类系统对武汉东湖4个站1991年的轮虫种类进行了分类;同时,对我国以往的轮虫分类中存在的若干问题进行了讨论。 1991年作者共观察到轮虫69种,隶属于19个科,29个属。新记录12种。其中,采自水样的轮虫种类有59种,沉积物中休眠卵萌发的种类41种,两者相同种类31种,休眠卵萌发特有种类10种,其中的盘状鞍甲轮虫(Lepadella patella)、侧刺伏嘉轮虫(Wolga spinifera)、侧扁棘管轮虫(Mytilina cortlpressa)等在60

    b-c-n三元化合物及其制备方法

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    本发明公开了一种B-C-N三元化合物,其化学式为B4CN4,为具有乱层结构的黑色粉末,层间距为至禁带宽度为3.5eV至4.5eV,是一种宽带隙半导体材料,并且带隙对应于紫外光区,以该化合物为原材料可以制备紫外发光器件。本发明还公开了其制备方法,包括步骤:在1500℃至2000℃的温度下,将碳化硼粉末和氮气反应2小时至48小时,即制得B4CN4化合物。该方法简单易行,方便大量制备,不论用于科学研究还是产业化,都具有很大的优势

    一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法及其产品

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    本发明公开了一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法,采用磁控溅射的方法,以富碳材料作为溅射靶材,以氮气或者氮气与氩气的混合气体作为溅射气氛,以金属、无机半导体材料或无机绝缘材料作为衬底制备氮掺杂碳膜,所述衬底温度为20~500℃;在真空、氮气气氛或惰性气氛中,在300~1000℃下,氮掺杂碳膜经热处理10秒~20小时后,得到所述的氮掺杂多孔碳薄膜材料。本方法无需模板,不消耗有机溶剂,简单易行;本方法制备的氮掺杂多孔碳薄膜材料具有N含量、孔尺寸可调的特点,N含量最高可达30%;本方法制备的N掺杂多孔碳薄膜的膜厚最小仅为数纳米,且可以实现大面积制备

    一种忆阻器及其应用

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    本发明提供了一种忆阻器,包括:依次在衬底上形成底电极层、中间介质层和顶电极层;所述中间介质层由硫族化合物层和氧化物层组成,其中,硫族化合物层与底电极层相接,氧化物层与顶电极层相接。本发明通过采用合适的顶电极与氧化物层和硫族化合物层组合,使得制备出的忆阻器具有超低的工作电压,表现出超高的电灵敏性。本发明还提供了一种忆阻器在制备神经突触仿生器件中的应用,该忆阻器表现出很好的突触可塑性,并具有超低的工作电压下实现了短程可塑性和长程可塑性,成功制备出高灵敏性的神经突触仿生器件

    轮虫

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    轮虫是浮游动物中的一个重要成员 ,广泛分布于各类淡水水域中 ,是经济水生动物的开口饵料和优质食物。有纤毛的头冠 ,骨质化的口器和具焰茎球的原肾管是轮虫主要形态结构特征。研究轮虫可深入了解无脊椎动物的系统发育 ,亦可促进它的开发、利用

    一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法及其产品

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    本发明公开了一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法,步骤1、在衬底表面形成导电薄膜作为第一电极;步骤2、在步骤1获得的第一电极表面制备氩等离子体轰击处理的ZnO薄膜作为中间层;步骤3、在步骤2获得的中间层表面制备导电薄膜作为第二电极;步骤4、在步骤3获得的结构基础上制备隔离的器件,得到所述的电阻型随机存储器的存储单元。本发明提供一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法,对作为中间介质层的ZnO薄膜进行氩等离子轰击处理,大幅改善了ZnO薄膜表面的平整度;以所述的氩等离子轰击处理的ZnO薄膜作为中间层制备的存储器,初始表现为低电阻态,所有器件的擦写均不需要电形成过程,且擦写电压较小

    一种忆阻器

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    本发明提供了一种忆阻器,包括:依次在衬底上形成底电极层和中间介质层,在中间介质层上形成顶电极,所述中间介质层的材料为在氧化性气氛中进行热处理后的硫化物。本发明通过采用合适的顶电极以及氧化气氛中热处理的硫化物薄膜组合,使得忆阻器表现出许多优异的性能,包括循环稳定性、抗疲劳性、超低的工作电压。在生物神经突触模拟方面表现出很好的突触可塑性,并具有超低的工作电压(6mV)下实现了短程可塑性和长程可塑性。超低的工作电压使其器件内部结构变化减小,所以极大的增强了器件的时间保持性和抗疲劳性,大幅度降低了器件的功耗

    一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱

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    本发明公开了一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱,该聚西佛碱包含结构单元:其中,n为正整数,R0为氢原子、C1-C20的脂肪或芳香基团,基本单元X、Y为具体结构单元(a)至(m)中的一种或两种以上的组合。本发明的聚西佛碱合成简单,具有良好的热稳定性与易加工性,在外电场作用下表现出电阻转变现象,因此可作为新型的存储材料用于电阻型随机存储器中。与现有的电阻型存储材料相比,本发明的聚西佛碱充分发挥了聚合物作为电子材料的诸多优势,例如,良好的加工性能、优异的延展性和丰富的结构变换及设计等,是一种具有发展潜力的新型的电阻型存储材料
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