半导体微结构物理效应及其应用讲座第1讲布拉格衍射效应在半导体光电子器件中的应用与发展

文章对布拉格衍射效应在半导体光电子材料和光电子器件,特别是在光纤通信中的光电子器件的应用和发展进行了详细的介绍.文中以布拉格光栅衍射效应的光反馈和选模功能为主线,逐一介绍了X射线双晶布拉格衍射技术在半导体材料、特别是在量子阱和应变量子阱超薄层晶体生长和质量控制方面的作用,介绍了内建布拉格光栅对光通信用光信号源的发展所起的重要作用,波导光栅在复用和解复用过程中的作用,以及光纤布拉格光栅在全光纤通信系统中的应用及发展等

应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成

该文在国内首先报道采用MOVPE技术研制成功了InGaAsP/InP应变补偿型量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成器件，实现了300mW单纵模工作，采用调制光放大器 、静态偏置DFB激光器的方法，产生了低啁啾、高功率的单纵模高频光脉冲。集成器件的研制成功，为其它含介质光栅反射器的光子集成器件的研制开辟了一条广阔的道路

生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响

研究不同生长温度下的InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长，用光致发光和X射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射1.3μm AlGaInAs有源区SCH-MQW结构材料，为器件制作研究打下了基础