增镀光学薄膜改善DFB激光器的光谱特性

利用增镀光学薄膜的方法，有效地将原来处于双模工作的1.3μm DFB激光器变为单模工作的激光器。选择的增镀膜层起到了抑制边模的作用。从而改变了激光器的模式特性。实验表明，增镀光学薄膜技术可望成为改善DFB激光器单模成品率的一种辅助方法

InGaAsP/InP PFBH激光器

采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导多次，该文介绍用P-InP衬底研制InFaAsP/InP平面埋层异质结构(PFBH)激光器和DFB-PFBH激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于100℃

用光纤光栅作外反馈的可调谐外腔半导体激光器

制作了一种以光纤光栅作为外反馈的半导体激光器。光纤光栅用紫外曝光法制作,反射率为50%。器件在50 mA注入电流时,出纤功率高于1mW,主边模抑制比为42dB。使用对光纤光栅施加应变和改变光栅温度的方法实现了输出激光波长的调谐,利用施加应变方法得到了2nm范围的输出波长变化

浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应

利用300keV的P~+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入，经H_2/N_2混合气氛下的快速退火，结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激射波长蓝移了77.9nm。发现具有应变结构的InGaAs/InGaAsP MQW,在较低的诱因素作用下即可产生较大的量子阱混合(intermixing)效应