基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法

 本发明公开了一种基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法,通过选用富锡Sn合金成分Sn＝54％-71％,设计金锡厚度分别小于2.1μm和0.7μm,在一定压强、温度和时间内进行了金锡合金键合,形成了以具有高维氏硬度的AuSn2相(即ε相)为主的中间层,实现了低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法。键合温度在140-310℃范围内,可实现高达20-64MPa的键合强度。这一低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法可应用于任意基片上器件的封装

一种提高光刻胶曝光精度的方法

 本发明公开了一种提高光刻胶曝光精度的方法,该光刻胶对紫外光具有高透射性,该方法是通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或对透过光刻胶的紫外光进行全吸收实现的。本发明通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或全吸收,减小了透射紫外光的影响,大幅提高了曝光精度,能够有效避免经光刻机晶片托盘反射的紫外光对光刻胶进行二次曝光,从而提高光刻精度,可以应用于任意透明衬底上对任意高透射性光刻胶的高精度曝光

用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法

 本发明公开了一种用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法,该方法包括：制作盖片；以及将制作的盖片与器件芯片进行圆片级键合。本发明提出利用电磁力将微纳尺度的金属线导入微孔中来实现高质量可靠的三维电学连接,损耗低,寄生效应小；采用局域加热技术只对键合区域进行加热,不仅能实现高键合强度和高气密性,而且保证器件区在整个键合过程中处于较低温度,器件性能不受键合温度影响。圆片级封装保证了封装的低成本。这一方法为MEMS器件,特别是射频MEMS器件,提供了高质量的低成本三维封装方法

一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法

本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层半导体材料的电化学电势，因而Ti替代半导体材料，与贵金属层构成原电池，并作为原电池正极在HF基腐蚀液中发生氧化反应，从而有效避免了半导体结构层材料被电化学腐蚀，并保证了金属层与其它结构层的牢固结合

一种超高真空多功能综合测试系统

本发明公开了一种用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，包括：第一超高真空室；第二超高真空室，该第二超高真空室与第一超高真空室真空密封连接；常压室，该常压室与第二超高真空室真空密封连接；以及一系统支架，该系统支架为一矩形框架；其中，该第一超高真空室、第二超高真空室和常压室固定于该系统支架，形成超高真空测试系统。利用本发明，实现了将微纳器件表面处理、表面修饰、原位机械性能表征和电学性能测试等功能的集成，避免了因处理后的样品表面在传递和测试过程中被再次污染而造成测试结果的严重偏差，为清晰准确地研究表面损失对器件机械及电学性能的影响提供了保证