近红外单光子探测

随着以单个光子作为信息载体的量子通信和量子加密技术的兴起,近红外单光子探测技术受到了广泛关注.近红外单光子探测系统具有极高的灵敏度,所以它还可以胜任探测其它近红外波段微弱光信号的任务.半导体雪崩光电二极管是当前最成熟的近红外单光子探测系统的核心元器件;文章阐明了雪崩光电二极管的暗电流和击穿电压对单光子探测的影响,同时还讨论了工作温度,直流偏置,门信号性质和计数阈值等系统参数之间相互制约的关

依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法

一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)以绝缘体上硅作为衬底；(b)在衬底上沿晶向方向进行划片，作为曝光时的参考方向；(c)将衬底进行热氧化，生成二氧化硅掩膜层；(d)采用电子束曝光，生成平面图形；(e)采用各向同性腐蚀液对二氧化硅掩膜层进行腐蚀；(f)再采用各向异性湿法腐蚀，在二氧化硅掩膜层下的硅层上获得依赖晶面的三维限制硅纳米结构

具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路

本发明公开了一种具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路，该电路包括整合激发神经元电路和权重自适应电路，其中，整合激发神经元电路接收外部像素点的灰度值信号和神经元之间内部的互连信号，权重自适应电路调整两神经元之间的相互耦合强度，作为整合激发神经元之间的内部互连信号。利用本发明，通过调节神经元间的耦合强度，可方便地对图像进行不同层次的分割，且分割速度很快；并且考虑了邻域像素对其的影响，故抗噪能力明显增强

以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法

本发明公开了一种以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法，该方法包括：步骤1：在二氧化硅样品表面制备光刻胶掩膜；步骤2：对光刻胶掩膜进行梯度升温坚膜；步骤3：采用ICP干法刻蚀二氧化硅样品。本发明以光刻胶为掩膜进行二氧化硅深刻蚀，具有工艺简单快捷，选择比高，刻蚀深度可达25微米，刻蚀形貌好，侧壁陡直等优点