29 research outputs found

    应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器

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    利用应变补偿的方法研制出激射波长λ≈3.5-3.7μm的量子经联激光器。条宽20μm,腔长1.6mm的In_xGa_(1x)As/In_yAl_(1-y)As量子级联激光器已实现室温准连续激射。在最大输出功率处的准连续激射可持续30mn以上

    InGaAs/InAlAs量子级联激光器研究

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    简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性。该器件具有增强型脊型波导结构,在80K时阈值电流为0.5A,相应的阈值电流密度为5KA/cm~2

    光交换中的半导体增益光开关门的研究

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    通过实验对双区共腔半导体增益光开关门的动态和静态光学特性(包括温度特性、偏振特性、光谱特性、偏置特性、开关特性及增益放大特性等)进行了分析研究,特别研究了其做为增益光开关门在光子交换系统中实现数据包交换功能的可行性,对半导体光开关门的数据包开光传输能力进行了原理性实验,文章最后提出了一种采用半导体增益光开关门的构成的新颖的光子交换系统网络结构

    InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器

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    一种电流控制型二端及三端MOW(多量子阱)InGaAsP/InP双区共腔双稳/非线性增益开关激光器业已研制成功,文中报道了部分结果
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