具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT的直流特性

研制成功具有场板结构的AlGaN／GaN HEMT器件，对源场板、栅场板器件的性能进行了分析．场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电，提高了肖特基反向击穿电压．源漏间距4μm的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上，肖特基反向漏电由37μA减小到5．7μA，减小了一个量级．肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上．另外，还初步讨论了高频特性

利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性

CMOS/SOS器件同体硅CMOS器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流放大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的。该文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善CMOS/SOS器件特性的实验结果

硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响

实验研究表明热生长13nm薄SiO_2的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很关系。氧化前稀HF酸及HF/乙醇漂洗不会提高热氧化薄SiO_2的可靠性；氧化前用NH_4OH/H_2O_2/H_2O(0.05:2:5)溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄SiO_2可靠性很有效；用H_2SO_4/H_2O_2(3:1)溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显，在之间增加比例为0.05:2:5或1:2:5的NH_4OH/H_2O_2/H_2O溶液清洗和稀HF酸漂洗效果更好。另外，薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗液种类关系不大，电离辐射对薄栅介质击穿特性的影响不明显