超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响

提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法．采用分子束外延生长GaAs／InAs短周期超晶格作覆盖层，可以拓展量子点发光波长至1．3μm～1．5μm．研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影

GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化

采用分子束外延方法在CaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构.InAs纳米线(QWRs)选择性生长在CaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AfM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括:衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAa表面形貌有很大的影响.如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争

2~5μm InAs/GaSb超晶格红外探测器

采用分子束外延方法在GaSb和GaAs衬底上生长了不同周期厚度的InAs/GaSb高质量II型能带结构超晶格红外探测器,其探测波长覆盖2~5μm红外波段。采用高分辨透射电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射测试、室温与低温光电流响应谱及室温与低温光荧光谱等多种测试手段检验了分子束外延生长在不同衬底上的超晶格材料质量与光学质量。该材料用于制造2~5μm GaAs基与 GaSb基InAs/GaSb超晶格红外探测器。在77 K温度下,2μm波段GaAs基InAs/GaSb超晶格红外探测器探测率为4×10~9 cm·Hz~(1/2)/W,5μm波段GaSb基InAs/GaSb超晶格红外探测器探测率为1.6× 10~(10) cm·Hz~(1/2)/W

脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究

对MBE生长的InGaAs量子阱（QW）激光器的频率特性进行了研究。研制了InGaAsQW脊波导结构的激光器，通过控制脊的腐蚀深度，得到阈值电流密度为300A／cm~2的激光器，且激光器在常温下工作稳定，输出功率较大，其阈值电流附近3dB带宽超过2GHz。比较了不同电极面积时器件的调制响应，结果表明小面积电极可以有效提高器件的调制带宽

一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法

本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：GaSb衬底(1)；在该GaSb衬底(1)上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaSb缓冲层(2)、p型欧姆欧姆接触层(3)、InAs/GaSb超晶格层和InAs盖层(8)；以及在该外延片上采用标准光刻技术及磷酸、柠檬酸溶液刻蚀露出p型欧姆欧姆接触层(3)，然后分别在p型欧姆欧姆接触层(3)和InAs盖层(8)上溅射合金制作的电极。本发明同时公开了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器的方法。利用本发明，实现了利用InAs/GaSb超晶格材料制作InAs/GaSb超晶格红外光电探测器