Svojstva višeslojnih materijala ozračenih jakim neutronskim tokovima

Multilayer materials based on silicon were exposed to fast neutrons with fluences ranging from 1015 to 1019 n/cm2. C-V, deep level transient spectroscopy (DLTS) and I-V measurements were carried out to analyse the properties of the respective layers as well as the SiO2-(n-type)silicon and metal-(n-type)silicon interfaces. The detected divacancies and E-centres are likely the main cause of carrier reduction that has been found to depend on the initial doping concentration of the layer. This study has proven that both investigated interfaces exhibit radiation induced interface traps.Višeslojni materijali na osnovi silicija izloženi su brzim neutronima tokovima od 1015 do 1019 n/cm2 . Mjerenja C − V , prijelazna spektroskopija dubokih stanja i I − V mjerenja načinjeni su radi analize svojstava višeslojeva kao i SiO2 – (nsilicij) te metal – (n-silicij) granice. Cini se da su glavni razlog smanjenja nositelja opažene dvojne šupljine i E-centri, koji ovise o početnoj koncentraciji dodataka (dopanata) u sloju. Pokazano je da obje istraživane granice sadrže klopke uzrokovane ozračivanjem