ANÁLISE BIBLIOMÉTRICA DA REVISTA TECNOLOGIA E AMBIENTE (1995-2018)

 O desenvolvimento de estudos que reúnem informações sobre uma determinada área vem sendo do interesse de pesquisadores. Estes estudos trazem dados que mostram a evolução de temas de várias áreas, auxiliando no planejamento de novas pesquisas. O objetivo deste estudo foi caracterizar a produção científica da revista Tecnologia e Ambiente, desde sua criação, em 1995, até 2018, por meio de uma análise bibliométrica. Nossa análise trouxe um panorama sobre as publicações da revista Tecnologia e Ambiente. Foram levantadas informações das áreas de pesquisa, autores mais influentes, publicações por ano, Universidades com maior número de publicações e palavras-chave mais utilizadas. Estes resultados confirmaram a importância da revista a nível regional, e os autores e Universidades colaborados mais relevantes no processo de consolidação da revista. Ainda, foi possível obter uma visão sobre a produção científica e qual o perfil da produtividade científica desenvolvida até o momento

ANÁLISE BIBLIOMÉTRICA DA REVISTA TECNOLOGIA E AMBIENTE (1995-2018)

 O desenvolvimento de estudos que reúnem informações sobre uma determinada área vem sendo do interesse de pesquisadores. Estes estudos trazem dados que mostram a evolução de temas de várias áreas, auxiliando no planejamento de novas pesquisas. O objetivo deste estudo foi caracterizar a produção científica da revista Tecnologia e Ambiente, desde sua criação, em 1995, até 2018, por meio de uma análise bibliométrica. Nossa análise trouxe um panorama sobre as publicações da revista Tecnologia e Ambiente. Foram levantadas informações das áreas de pesquisa, autores mais influentes, publicações por ano, Universidades com maior número de publicações e palavras-chave mais utilizadas. Estes resultados confirmaram a importância da revista a nível regional, e os autores e Universidades colaborados mais relevantes no processo de consolidação da revista. Ainda, foi possível obter uma visão sobre a produção científica e qual o perfil da produtividade científica desenvolvida até o momento

Fitoterapia e Gerenciamento da Halitose: Uma revisão integrativa

A fitoterapia, baseada no uso de plantas medicinais, representa uma abordagem terapêutica antiga e holística. Seu reconhecimento pela Organização Mundial da Saúde validou seu papel na saúde global. Sendo assim, o objetivo deste trabalho foi avaliar eficácias de plantas medicinais no controle da halitose. Realizou-se uma revisão integrativa com a pergunta norteadora: “Qual é a eficácia do uso de plantas medicinais no controle do mau hálito?” Buscamos em Lilacs, Portal da CAPES e PubMed, com termos como “Medicinal plants”, “Halitosis” e “Dentistry”. Critérios incluíram artigos de 2012 a 2022, disponíveis online, nos idiomas português, inglês ou espanhol. Identificamos 19 estudos, selecionando 4 após análise detalhada. Destacamos a eficácia da extração etanólica de Salvadora persica na inibição de bactérias orais.Elettaria cardamomum também mostrou potencial, enquanto Nigella sativa teve efeitos limitados. Camellia sinensis e Curcuma zedoaria revelaram efeitos imediatos, indicando limitações no combate a microrganismos bucais. O extrato de Romã se destacou na inibição de compostos voláteis de enxofre. Em conclusão, foi observado que diferentes plantas medicinais apresentam potencial no combate à halitose, mas alguns extratos sugere a necessidade de avaliação contínua. A diversidade de plantas usadas destaca a necessidade de mais pesquisas para uma compreensão aprofundada dessas terapias naturais.   &nbsp

A influência da respiração oral na qualidade de vida infantil

A respiração bucal na infância, frequentemente associada à obstrução das vias aéreas superiores, impacta significativamente a qualidade de vida das crianças. Originada por fatores como hipertrofia de adenoides e desvio de septo nasal, esse padrão respiratório influencia não apenas o desenvolvimento orofacial, mas também aspectos cognitivos e emocionais. Com efeitos sutis, mas abrangentes, compreender e abordar precocemente esse fenômeno torna-se crucial para promover o pleno bem-estar infantil. Sendo assim, o objetivo desse estudo foi compreender o impacto que a respiração oral na qualidade de vida das crianças. Foi conduzida uma revisão narrativa da literatura utilizando as bases de dados bibliográficos Lilacs, SciELO e PubMed. As estratégias de busca empregaram os termos em inglês: “Mouth breathing”, “quality of life” e “Child”. A delimitação da pesquisa ocorreu por meio do cruzamento desses termos utilizando o operador booleano AND. Os resultados e discussões demostram que as alterações faciais e dentárias evidenciadas necessitam de intervenção multidisciplinar nesses pacientes. Além disso, foi verificado a importância da intervenção desde a infância até a idade adulta. A faixa etária e identificação precoce são cruciais para influenciar positivamente a qualidade de vida. Em conclusão, é notável o impacto negativo que a respiração oral exerce na qualidade de vida das crianças, podendo perdurar ao longo de sua vida. Desta forma, é necessário uma abordagem mais abrangente para melhorar a qualidade de vida desses pacientes.    

Characterization Of Gan-Based Single- And Double-Heterostructure Devices

This work focuses on a comparison of two GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) epilayer structures, a single- (SH) and a double-heterostructure (DH). DC and pulsed tests reveal lower ID and Ileak in DH devices. Kink effect is also reported; none shows relevant current collapse. DH HEMTs show a much higher breakdown voltage (VBR) and slope. Off-state step-stresses confirm good reliability for these devices thanks to improved back-barrier confinement; SH suffers from punch-through resulting in premature breakdown

DC and Pulsed Characterization of GaN-based Single- and Double- Heterostructure Devices

In this paper we report the DC and pulsed characterization of devices fabricated from 5 different GaN-based single-(SH) and double-heterostructure(DH) epitaxial designs(Fig. 1). DC tests enlighten higher saturation current and also sub-threshold leakage currents in SH devices as compared to DH. Moreover, the presence of kink effect, quite pronounced on uncapped wafers, suggests that the application of a GaN capping layer effectively reduces surface charge trapping phenomena. Pulsed measurements show charge release at higher voltages due to a field assisted detrapping

OFF-State Degradation of AlGaN/GaN Power HEMTs: Experimental Demonstration of Time-Dependent Drain-Source Breakdown

This paper reports the experimental demonstration of a novel degradation mechanism of high-power AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs), that is, time-dependent drain-source breakdown. With current-controlled breakdown measurements and constant voltage stress experiments we demonstrate that: 1) when submitted to constant voltage stress, in the OFF-state, the HEMTs can show a significant degradation; 2) the degradation process is time-dependent, and consists of a measurable increase in subthreshold drain-source leakage; this effect is ascribed to the accumulation of positive charge in proximity of the gate, consistently with previous theoretical calculations; and 3) a catastrophic (and permanent) failure is observed for long stress times, possibly due to thermal runaway or to the increase in the electric field in proximity of the localized drain-source leakage paths

Single- and double-heterostructure GaN-HEMTs devices for power switching applications

This paper reports on a detailed characterization of single- (SH) and double-heterostructure (DH) GaNbased HEMTs developed for the employment on power switching applications. DC, pulsed and breakdown characterizations have been performed in five different epitaxial structures. SH devices present higher ID current, however, DH devices present much lower leakage current and higher breakdown voltage, thanks to the better confinement provided by the back barrier layer. Kink effect have also been observed in these devices and the effect is enhanced in double heterostructure devices. Off-state stepstress, carried out on a sub-set of the available devices, revealed good reliability performances of DH devices. The limited reliability of the SH devices could be related to the punch-through leakage current. Correlation between current degradation and electroluminescence hot-spot in electroluminescence (EL) measurements has also been found

GaN-HEMTs devices with single- and double-heterostructure for power switching applications

We report on an extensive study of single- (SH) and double-heterostructure (DH) HEMTs based on gallium nitride, for power switching applications. The analysis is based on dc, pulsed and breakdown measurements, which were carried out on five different epitaxial structures. \ua9 2013 IEEE