Nerve growth factor and receptor expression in rheumatoid arthritis and spondyloarthritis

Introduction We previously described the presence of nerve growth factor receptors in the inflamed synovial compartment. Here we investigated the presence of the corresponding nerve growth factors, with special focus on nerve growth factor (NGF). Methods mRNA expression levels of four ligands (NGF, brain derived growth factor (BDNF), neurotrophin (NT)-3, NT-4) and their four corresponding receptors (tyrosine kinase (trk) A, trkB, trkC, NGFRp75) were determined in the synovial fluid (SF) cells of 9 patients with rheumatoid arthritis (RA) and 16 with spondyloarthritis (SpA) and compared with 7 osteoarthritis (OA) patients. NGF was also determined in synovial tissue (ST) biopsies of 10 RA and 10 SpA patients. The production of NGF by monocytes and lymphocytes was assessed by flow cytometry of SF cells, synovial tissue derived fibroblast-like synoviocytes (FLS) were assessed by ELISA on culture supernatant. Results SF cell analysis revealed a clear BDNF and NGF mRNA expression, with significantly higher NGF expression in RA and SpA patients than in the OA group. NGF expression was higher in ST samples of RA as compared to SpA. Using intracellular FACS analysis, we could demonstrate the presence of the NGF protein in the two inflammatory arthritis groups on both CD3+ T lymphocytes and CD14+ cells, i.e. monocytes/macrophages, whereas cultured FLS did not produce NGF in vitro. Conclusions Neurotrophins and especially NGF are expressed in the synovial fluid and tissue of patients with peripheral synovitis. The presence of neurotrophins as well as their receptors, in particular the NGF/trkA-p75 axis in peripheral synovitis warrants further functional investigation of their active involvement in chronic inflammatory arthriti

Insulin-Like Growth Factor I Does Not Drive New Bone Formation in Experimental Arthritis

Insulin like growth factor (IGF)-I can act on a variety of cells involved in cartilage and bone repair, yet IGF-I has not been studied extensively in the context of inflammatory arthritis. The objective of this study was to investigate whether IGF-I overexpression in the osteoblast lineage could lead to increased reparative or pathological bone formation in rheumatoid arthritis and/or spondyloarthritis respectively.status: publishe

PDD2: PSYCHOMETRIC PROPERTIES OF THE PATIENT BENEFIT QUESTIONNAIRE (PBQ) IN A COHORT OF DIABETIC PERIPHERAL NEUROPATHY (DPN) PATIENTS

Modulation of mRNA decay by ER stress is MAPK-independent. (TIF 571 kb

Деградація СЕ CdTe в процесі експлуатації: моделювання та експеримент

The mechanisms of CdTe SС degradation during operation are experimentally studied. Two mechanisms of degradation of such solar cells are identified. The first is the generation of defects in the transition region, which is caused by excess charge carriers and defects. The second is the increase in the back barrier. The study of the current-voltage and voltage-capacitance characteristics of solar cells allowed proposing a model of degradation of solar cells based on CdTe. It is found that the presence of copper in the back contact is associated with better initial efficiency, but also the fastest degradation during operation. In accordance with the proposed model, the occurrence of additional elementary defects as a result of dissociation of three types of point defect complexes (Cui+–2CuCd–)–, (VCd2––Cui+)–, (2CuCd––VTe+)– is explained. Shunting of the n-p heterojunction and phase transformations from the p+-Cu2-xTe side due to electrodiffusion of CuCd– with p-CdTe at the n-CdS/p-CdTe and p-CdTe/p+-Cu2-xTe boundaries is considered. On the other hand, the diffusion of Cui+ (interstitial copper) into the absorber volume is possible. Electrodiffusion of defects from heterojunctions to the absorber volume is possible, which leads to the compensation of effective acceptor centers and a decrease in the lifetime of minority charge carriers and, accordingly, a decrease in Jph. In addition, there is a growth of shunting metal chains along the longitudinal grain boundaries of p-CdTe between n-p and р-р+ heterojunctions and the possibility of appearance of high-resistance phases of the Cu-Te system. The proposed model explains the possibility of occurrence of the р+ –Cu2–δS phase on the CdS/CdTe boundary, which constrains the passage of the photoactive part of the solar spectrum in p-CdTeПутем экспериментальных исследований изучены механизмы деградации СЭ CdTe в процессе эксплуатации. Определены два механизма деградации таких солнечных элементов. Первый обусловлен генерацией дефектов в области перехода, которая вызвана избыточными носителями заряда и дефектами. Второй – ростом величины тыльного барьера. Исследование вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик солнечных элементов позволили предложить модель деградации солнечных элементов на основе CdTe. Установлено, что наличие меди в составе тыльного контакта связано с лучшей начальной эффективностью,  однако и наиболее быстрой деградацией в процессе эксплуатации. В соответствии с предложенной моделью объясняется возникновение дополнительного количества элементарных дефектов как результат диссоциации трех видов комплексов точечных дефектов (Cui+–2CuCd-)-, (VCd2-–Cui+)-, (2CuCd-–VTe+)-. Рассмотрены шунтирование n-р гетероперехода и фазовые превращения из стороны p+ -Cu2-xTe за счет электродиффузии CuCd- с p-CdTe на границах  n-CdS / p-CdTe и p-CdTe / p + -Cu2-xTe. С другой стороны возможна диффузия Cui + (межузельная медь) в объем абсорбера. Возможна электродиффузия дефектов из гетеропереходов в объем абсорбера, что приводит к компенсации эффективных акцепторных центров и приводит к снижению времени жизни неосновных носителей заряда и соответственно к снижению Jф. Кроме того, наблюдается прорастание шунтирующих металлических цепочек по продольным межзеренным границам p-CdTe между n-р и р-р+ гетеропереходами и возможность возникновения высокоомных фаз системы Cu-Te. Предложенная модель объясняет возможность возникновения фазы р+ - Cu2-δS на грани CdS / CdTe, которая сдерживает прохождения фото активной части солнечного спектра в p-CdTeШляхом експериментальних досліджень вивчені механізми деградації СЕ CdTe в процесі експлуатації. Визначено два механізми деградації таких сонячних елементів. Перший обумовлений генерацією дефектів в області переходу, яка обумовлена надлишковими носіями заряду і дефектами. Другий – зростанням величини тильного бар’єру. Дослідження вольт-амперних и вольт- фарадних характеристик сонячних елементів дозволили запропонувати модель деградації сонячних елементів на основі CdTe. Встановлено що наявність міді у складі тильного контакту пов’язано с найкращою начальною ефективністю однак і найбільш швидкою деградацією в процесі експлуатації. У відповідності до запропонованої моделі пояснюється виникнення додаткової кількості елементарних дефектів як результат дисоціації трьох видів комплексів точкових дефектів (Cui+–2CuCd-)-,(VCd2-–Cui+)-,(2CuCd-–VTe+)-,(Cui+­–CuCd-), Розглянуто шунтування n-р гетеропереходу і фазові перетворення зі сторони  p+-Cu2-xTe за рахунок електродіфузії CuCd- із p-CdTe на межі n-CdS/p-CdTe и p-CdTe/p+-Cu2-xTe. З іншого боку можлива дифузія Cui+ (межвузлова мідь) в об’єм абсорбера. Можлива електодіфузія дефектів із гетеропереходів в об’єм абсорбера, що спричиняє компенсацію ефективних акцепторних центрів та призводить до зниження часу життя неосновних носіїв заряду и відповідно до зниження Jф. Крім того, спостерігається проростання шунтуючих металевих ланцюжків по поздовжніх межзеренних кордонах p-CdTe між n-р і р-р+ гетеропереходами та можливість виникнення високоомних фаз системи Cu-Te. Запропонована модель пояснює можливість виникнення фази р+- Cu2-δS на межі CdS/CdTe, яка стримує проходження фото активної частини сонячного спектру в p-CdT