Oscillateurs micro-ondes à faible consommation en technologie CMOS/SOI : de l’étude des dispositifs aux performances

De nos jours, la maturité de la technologie CMOS Silicium-sur-Isolant (SOI) lui offre une place de choix dans le domaine des circuits intégrés hautes fréquences à faible consommation et faible tension d’alimentation, destinés notamment au marché des systèmes de communications sans fils [1]. Nous avons réalisé des oscillateurs intégrés micro-ondes à faible consommation (< 2 mW). Une bonne évaluation du comportement de ces circuits requiert la connaissance du comportement grand signal des transistors SOI. A cette fin, différentes techniques de caractérisation non-linéaire ont été comparées et un modèle grand signal [2] utilisé pour rétro-simuler les circuits. Les mesures des oscillateurs ont mis en évidence l’impact de la technologie et du choix des dispositifs sur les performances