СПЕКТРЫ DLTS КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ С p+—n–ПЕРЕХОДОМ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ КРИПТОНА

p+-n-Diodes have been studied. The diodes were manufactured on wafers (thickness 460 μm, (111) plane) of uniformly phosphorus doped float–zone–grown single–crystal silicon. The resistivity of silicon was 90 Ohm · cm and the phosphorus concentration was 5 · 1013 cm–3. The diodes were irradiated with 250 MeV krypton ions. The irradiation fluence was 108 cm–2. Deep–level transient spectroscopy (DLTS) was used to examine the defects induced by high energy krypton ion implantation. The DLTS spectra were recorded at a frequency of 1 MHz in the 78—290 K temperature range. The capacity–voltage characteristics have been measured at a reverse bias voltage from 0 to –19 V at a frequency of 1 MHz. We show that the main irradiation–induced defects are A–centers and divacancies. The behavior of DLTS spectra in the 150—260 K temperature range depends essentially on the emission voltage Ue. The variation of Ue allows us to separate the contributions of different defects into the DLTS spectrum in the 150—260 K temperature range. We show that, in addition to A–centers and divacancies, irradiation produces multivacancy complexes with the energy level Et = Ec – (0.5 ± 0.02) eV and an electron capture cross section of ~4 · 10–13 cm2.Исследованы p+—n-диоды. Диоды изготовлены на пластинах однородно легированного фосфором монокристаллического кремния (толщина 460 мкм, плоскость (111)), выращенного методом бестигельной зонной плавки. Удельное сопротивление кремния — 90 Ом × см, концентрация фосфора — 5 × 1013 см−3. Диоды подвергнуты облучению ионами криптона с энергией 250 МэВ. Флюенс облучения — 108 см−2. Радиационные дефекты, вводимые высокоэнергетической имплантацией ионов криптона, исследованы с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS — Deep−level transient spectroscopy). Спектры DLTS регистрировали на частоте 1 МГц в интервале температур 78—290 К. Вольт-фарадные характеристики измерены при напряжении обратного смещения от 0 до – 19 В на частоте 1 МГц. Показано, что основными радиационными дефектами являются А−центры и дивакансии. Установлено, что вид спектров DLTS в интервале температур 150—260 K существенно зависит от напряжения эмиссии Ue. Варьирование Ue в ходе эксперимента позволило разделить вклады от различных дефектов в спектр DLTS в интервале температур 150—260 К. Показано, что, помимо А−центров и дивакансий, при облучении формируются многовакансионные комплексы с энергетическим уровнем Et = Ec -(0,50 ± 0,02) эВ и сечением захвата электронов ~ 4 × 10−13 см2