ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ В РАСТВОРЕ ПОЛИАКРИЛОВОЙ КИСЛОТЫ НА ЕГО ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА

Porous silicon (por-Si) has a unique set of physic−chemical properties of characteristics — well-developed surface and consequently, a high sorption activity. In a dependence of the fabrication technique it is possible to form pores and clusters of nanometer size that makes this material rather prospective for elaborations in optoelectronics and sensors production. However, high surface activity stipulates porous silicon instability in the atmosphere. The work is concerned with the study of the influence of por-Si surface treatment in the aqueous solution of polyacrylic acid on the composition and photoluminescence of this material. It was found that this treatment can either enhance and stabilize PL of the material or change spectral position of PL band and also enhance its total intensity in a dependence of the fabrication technique.Пористый кремний обладает уникальным набором физико-химических характеристик — развитой поверхностью и, как следствие, существенной сорбционной активностью. В зависимости от технологии изготовления в нем можно сформировать поры и кластеры нанометровых размеров, что делает этот материал перспективным для разработок в области оптоэлектроники и сенсорики. Однако высокая активность поверхности обуславливает нестабильность пористого кремния при его контакте с атмосферой. Исследовано влияние обработки поверхности пористого кремния в водном растворе полиакриловой кислоты на состав и фотолюминесценцию материала. Установлено, что такая обработка, в зависимости от технологии получения пористого кремния, может усиливать и стабилизировать фотолюминесценцию этого материала или изменять положение полосы фотолюминесценции и значительно увеличивать ее интегральную интенсивность

The effect of surface treatment in polyacrylic acid solution on the photoluminescent properties of porous silicon

Porous silicon (por-Si) has a unique combination of physicochemical parameters: well-developed surface and hence high sorption. Depending on technology it is possible to form nanometer size pores and clusters in porous silicon which makes this material promising for developments in the field of optoelectronics and sensors. However the high surface activity makes por-Si unstable when exposed to atmosphere. In this work we have studied the effect of por-Si surface treatment in a polyacrylic acid water solution on the composition and photoluminescence (PL) of the material. Por-Si was produced from two fluoric acid solutions. One was a standard solution of fluoric acid, isopropyl alcohol and hydrogen peroxide, and the other was a mixture of fluoric acid and dimethylformamide. We have shown that depending on por-Si technology, its treatment in polyacrylic acid solution allows increasing and stabilizing por-Si PL or changing PL band position and significantly increasing its integral intensity