СРЕДСТВА РЕГИСТРАЦИИ ИМПУЛЬСНОГО ВИДИМОГО ИЗЛУЧЕНИЯ МАЛОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ. ЧАСТЬ 1. ОСОБЕННОСТИ И ВОЗМОЖНОСТИ МНОГОКАНАЛЬНЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ С ВНУТРЕННИМ УСИЛЕНИЕМ. ОБЗОР

The main types of the modern photo detectors applied to single photon registration are analyzed. It is offered to use silicon photomultipliers for production of multi-channel optoelectronic systems with the single photon resolution.Проанализированы основные типы современных фотоприемников, применяемых для регистрации импульсного оптического излучения видимой области спектра. Сделан вывод о том, что для создания многоканальных оптико-электронных систем с однофотонным разрешением целесообразно использовать кремниевые фотоэлектронные умножители

СРЕДСТВА РЕГИСТРАЦИИ ИМПУЛЬСНОГО ВИДИМОГО ИЗЛУЧЕНИЯ МАЛОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ. Часть 2. ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ ОБРАБОТКА СИГНАЛОВ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ. ОБЗОР

Bias circuits, output signals and readout electronics of silicon photomultipliers are considered. Requirements to analog IC for SiPM signal preliminary processing are formulated. According to requirements the set of radiation hardened analog ICs including the comparator and transresistance amplifiers with different gain and speed is produced.Рассмотрены схемы включения, выходные сигналы и считывающая электроника кремниевых фотоэлектронных умножителей. Сформулированы требования к аналоговым устройствам для предварительной обработки их сигналов, в соответствии с которыми создана серия радиационно-стойких аналоговых микросхем, включающая компаратор напряжения и трансрезистивные усилители с разным коэффициентом преобразования и быстродействием

МАЛОШУМЯЩИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ

Schematic and design of electronics module for avalanche photodiode signal′s readout based on the pair of specialized analog ICs, are considered. Main specifications including input noise charge vs signal source capacity are presented.Рассмотрен электронный модуль обработки сигналов лавинных фотодиодов, созданный на базе двух специализированных аналоговых микросхем. Приведены результаты измерений основных характеристик и уровня шумов электронного модуля в зависимости от емкости источника сигнала (фотодиода)

ОБЕСПЕЧЕНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Influence of gamma radiation Co60 on static and dynamic characteristics of the transresistance amplifier and the comparator realized on the master slice array «ABMK 1-3» is considered taking into account formulated design rule. At absorbed dose D = 5 Mrad the comparator input current has increased on 25 %, other IC parameters (gain, impulse response of the transresistance amplifier, propagation delay, transition time, output current of the comparator) have changed slightly.Рассмотрено влияние гамма-излучения Co60 на статические и динамические характеристики трансрезистивного усилителя и компаратора напряжения, реализованных на базовом матричном кристалле типа «АБМК 1-3» с учетом сформулированных правил проектирования радиационно-стойких аналоговых интегральных схем (ИС). При поглощенной дозе D = 5 Мрад входной ток компаратора возрос на 25%, остальные параметры ИС (коэффициент преобразования, длительность фронта нарастания и спада трансрезистивного усилителя, задержка переключения, длительность фронта нарастания и спада, выходной ток компаратора) изменились незначительно

Parquet solution for a flat Fermi surface

We study instabilities occurring in the electron system whose Fermi surface has flat regions on its opposite sides. Such a Fermi surface resembles Fermi surfaces of some high-$T_c$ superconductors. In the framework of the parquet approximation, we classify possible instabilities and derive renormalization-group equations that determine the evolution of corresponding susceptibilities with decreasing temperature. Numerical solutions of the parquet equations are found to be in qualitative agreement with a ladder approximation. For the repulsive Hubbard interaction, the antiferromagnetic (spin-density-wave) instability dominates, but when the Fermi surface is not perfectly flat, the $d$-wave superconducting instability takes over.Comment: REVTeX, 36 pages, 20 ps figures inserted via psfig. Submitted to Phys. Rev.

EQUIPMENTS TO SINGLE PHOTON REGISTRATION. PART 1. FEATURES AND POSSIBILITIES OF MULTI-CHANNEL PHOTODETECTORS WITH INTRINSIC AMPLIFICATION. (REVIEW)

The main types of the modern photo detectors applied to single photon registration are analyzed. It is offered to use silicon photomultipliers for production of multi-channel optoelectronic systems with the single photon resolution

EQUIPMENTS TO SINGLE PHOTON REGISTRATION. Part 2. SILICON PHOTOMULTIPLIER SIGNAL PRELIMINARY PROCESSING. (Review)

Bias circuits, output signals and readout electronics of silicon photomultipliers are considered. Requirements to analog IC for SiPM signal preliminary processing are formulated. According to requirements the set of radiation hardened analog ICs including the comparator and transresistance amplifiers with different gain and speed is produced

LOW NOISE ELECTRONICS MODULE FOR AVALANCHE PHOTODIODE SIGNAL READOUT

Schematic and design of electronics module for avalanche photodiode signal′s readout based on the pair of specialized analog ICs, are considered. Main specifications including input noise charge vs signal source capacity are presented

RADIATION HARDENED ANALOG IC FOR SENSOR

Problems of specialized analog integrated circuit design for sensor equipments are considered. It is offered to produce of radiation hardened analog IC on structured chips for economic efficiency at small production volume. The approach to analog IC design is described, including recommendations for choice of: types and quantities of structured chip analogue components; active and passive components; schematic decisions of analogue components with programmed parameters and small sensitivity to radiation