39 research outputs found

    СВОЙСТВА ПОРИСТЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР Si–КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ/SiOx, ПОЛУЧЕННЫХ ПО ФТОРОВОДОРОДНОЙ ТЕХНОЛОГИИ

    Get PDF
    A detailed study of Si quantum dots/SiOx film structures synthesized using a new hydrofluoric technology of forming silicon nanoparticles in porous silicon oxide matrices has been performed. A physical mechanism of the effect of chemical treatment in HF vapors in air on the structural and luminescent properties of the film porous systems with nanosized silicon has been suggested. We show that the passivation of the broken bonds on the surface of Si nanoinclusions as a result of the treatment occurs with the participation of oxygen, fluorine and hydrogen atoms, and this effect depletes the nonradiative recombination channel by two orders of magnitude. We suggest a model explaining the blue shift of the photoluminescence spectra as a result of the treatment due to a decrease in the sizes of the Si−QD during the oxidation of their surface layers. Проведено детальное исследование пленочных структур Si−квантовые точки/SiOx, полученных по новой фтороводородной технологии формирования наночастиц кремния в пористой матрице оксида кремния. Предложен физический механизм влияния химической обработки в парах HF на воздухе на структурные и свето- излучающие свойства пленочных пористых систем с наноразмерным кремнием. Показано, что пассивация оборванных связей на поверхности Si−нановключений в результате обработки происходит при участии атомов кислорода, фтора и водорода, что на два порядка величины ослабляет безызлучательный канал рекомбинации. Предложена модель, объясняющая сдвиг спектра фотолюминесценции в область голубого свечения в результате обработки вследствие уменьшения размеров Si−квантовых точек при окислении их поверхностного слоя
    corecore