6 research outputs found

    DESIGN OF THE CONTACT POTENTIALS DIFFERENCE PROBES

    Get PDF
    The contact potential difference probes distinguished by great variety and produced mostly in the laboratory for specific experimental applications. As a rule, they consist of commercially available instrumentation, and have a number of disadvantages: large dimensions, complexity and high cost, small sensitivity, operating speed, noiseproof, etc. The purpose of this paper is to describe the basic approaches to design of the small dimension, complete contact potential difference probes, providing high sensitivity, operating speed, and noise immunity. In this paper the contact potential difference probe, which is a electrometer with dynamic capacitor plate at about 0.1–5 mm2 . These probes are could be used in scanning systems, such as a Scanning Kelvin Probe, as well as for controlling system of manufacturing processes, e.g. under friction. The design of such contact potential difference probes conducted using modern electronic components, unique circuitry and design solutions described in detail at paper. The electromechanical modulator applied for mechanical vibrations of the reference sample. To provide a high amplitude and phase stability the upgraded generator with Wien bridge was used instead traditional oscillation sensor. The preamplifier made on the base of modern operational amplifiers with femtoampere current input. The power of the preamplifier designed with Β«floating groundΒ». It allows keeping the relation constant potential to the probe components when changing over a wide range the compensation voltage. The phase detector-integrator based on the electronic antiphase switches with the modulation frequency of the contact potential difference and the integrator. Fullwave phase detection would greatly increase the sensitivity of the probe. In addition, the application of the phase detection allows suppressing noise and crosstalk at frequencies different from the modulation frequency. The preamplifier and the reference sample mounted on a flexible printed circuit board and the edge mechanically connected with a vibrator. Modulator, phase detector-integrator, and other electronic components placed on a separate board. This design contributes to reduce the influence of electromagnetic interference and noise as well as removing microphonic effects, etc

    ΠŸΠžΠ‘Π’Π ΠžΠ•ΠΠ˜Π• Π˜Π—ΠœΠ•Π Π˜Π’Π•Π›Π•Π™ ΠšΠžΠΠ’ΠΠšΠ’ΠΠžΠ™ Π ΠΠ—ΠΠžΠ‘Π’Π˜ ΠŸΠžΠ’Π•ΠΠ¦Π˜ΠΠ›ΠžΠ’

    Get PDF
    The contact potential difference probes distinguished by great variety and produced mostly in the laboratory for specific experimental applications. As a rule, they consist of commercially available instrumentation, and have a number of disadvantages: large dimensions, complexity and high cost, small sensitivity, operating speed, noiseproof, etc. The purpose of this paper is to describe the basic approaches to design of the small dimension, complete contact potential difference probes, providing high sensitivity, operating speed, and noise immunity. In this paper the contact potential difference probe, which is a electrometer with dynamic capacitor plate at about 0.1–5 mm2 . These probes are could be used in scanning systems, such as a Scanning Kelvin Probe, as well as for controlling system of manufacturing processes, e.g. under friction. The design of such contact potential difference probes conducted using modern electronic components, unique circuitry and design solutions described in detail at paper. The electromechanical modulator applied for mechanical vibrations of the reference sample. To provide a high amplitude and phase stability the upgraded generator with Wien bridge was used instead traditional oscillation sensor. The preamplifier made on the base of modern operational amplifiers with femtoampere current input. The power of the preamplifier designed with Β«floating groundΒ». It allows keeping the relation constant potential to the probe components when changing over a wide range the compensation voltage. The phase detector-integrator based on the electronic antiphase switches with the modulation frequency of the contact potential difference and the integrator. Fullwave phase detection would greatly increase the sensitivity of the probe. In addition, the application of the phase detection allows suppressing noise and crosstalk at frequencies different from the modulation frequency. The preamplifier and the reference sample mounted on a flexible printed circuit board and the edge mechanically connected with a vibrator. Modulator, phase detector-integrator, and other electronic components placed on a separate board. This design contributes to reduce the influence of electromagnetic interference and noise as well as removing microphonic effects, etc.Β Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ разности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ большим ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² основном Π² Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… условиях для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, ΠΎΠ½ΠΈ состоят ΠΈΠ· сСрийно выпускаСмых ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ поэтому ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ рядом нСдостатков, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ большими Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π°ΠΌΠΈ, ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ высокой ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, быстродСйствиСм, ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΎΠ·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Π΄Ρ€. ЦСлью Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являлось описаниС Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ…, ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ сформированных ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ разности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, быстродСйствиС ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΎΠ·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Для возбуТдСния мСханичСских ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ эталонного ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ элСктромСханичСский модулятор, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ для обСспСчСния высокой Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π½ΠΎ-фазовая ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Ρ€Π½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ с мостом Π’ΠΈΠ½Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ частоты мСханичСского рСзонансного колСбания Π±Π΅Π· Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй с Ρ„Π΅ΠΌΡ‚ΠΎΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ. ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ прСдусилитСля Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ с Β«ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉΒ», Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π·ΠΎΠ½Π΄Π° постоянными ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния компСнсации Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅. Π€Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° основС ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… с частотой модуляции ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ разности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² элСктронных ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. Π”Π²ΡƒΡ…ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ позволяСт Π² Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ стСпСни ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ влияния элСктромагнитных Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΊ ΠΈ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ², устранСния ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ эффСкта ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ вмСстС с эталонным ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†ΠΎΠΌ смонтирован Π½Π° Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅, ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… элСктронных ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ².

    Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΄ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСктромСтр для контроля ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… пластин

    Get PDF
    Non-contact electrical methods are widely used for research and control of semiconductor wafers. The methods are usually based on surface potential measurement (CPD) in combination with illumination and/or deposition of charges on the sample using a corona discharge, and are also based on the measurement of surface photo-emf. By photo-EMF (SPV) it is possible to determine the lifetime of minor charge carriers, their diffusion length and detect traces of heavy metals on the surface. In addition, using photo-EMF it is possible to determine the surface resistance of the plate, some parameters of the dielectric layer on the surface and barrier photo-EMF (JPV). Electrical performance results reflect the influence of near-surface characteristics on the final performance of devices. The aim of the work was to develop a universal digital probe electrometer that implements various non-contact electrical methods for analyzing semiconductor wafers, in which the change in operating modes and configuration, transmission of the received data, remote testing and calibration are carried out via digital local control channels. This paper describes a universal digital probe electrometer developed by the authors, which implements the above-described non-contact electrical methods for analyzing semiconductor wafers (CPD, SPV and JPV), in which the change in operating modes and configuration, transmission of the received data, remote testing and calibration are carried out via digital local control channels. Due to their high speed, electrical characterization methods are suitable for inspecting semiconductor wafers during production. The results of testing the developed probe electrometer in CPD, SPV and JPV modes are presented, which reflect the effectiveness of the proposed approaches.Для исслСдования ΠΈ контроля ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… пластин ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ бСсконтактныС элСктричСскиС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹, основанныС Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° повСрхности (CPD) Π² сочСтании с освСщСниСм ΠΈ/ΠΈΠ»ΠΈ осаТдСниСм зарядов Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π΅Ρ† с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ разряда, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ повСрхностной Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ-Π­Π”Π‘ (SPV). По Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ-Π­Π”Π‘ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΆΠΈΠ·Π½ΠΈ нСосновных носитСлСй заряда, ΠΈΡ… Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρƒ ΠΈ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ слСдов тяТСлых ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² Π½Π° повСрхности. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, с использованиСм Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ-Π­Π”Π‘ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ повСрхностного сопротивлСния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ пластины, Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ слоя диэлСктрика Π½Π° повСрхности ΠΈ Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ-Π­Π”Π‘ (JPV). Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ измСрСния элСктричСских ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ влияниС приповСрхностных характСристик Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ характСристики устройств. ЦСлью Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являлась Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π·ΠΎΠ½Π΄ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ элСктромСтра, Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ бСсконтактныС элСктричСскиС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… пластин, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΡƒΠ΄Π°Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΠ΅ тСстированиС ΠΈ ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌ локального управлСния. Π’ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ описан Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΄ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСктромСтр, Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ описанныС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ бСсконтактныС элСктричСскиС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… пластин (CPD, SPV ΠΈ JPV). Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктромСтром, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Ρƒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΡƒΠ΄Π°Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΠ΅ тСстированиС ΠΈ ΠΊΠ°Π»ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°, осущСствляСтся ΠΏΠΎ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌ локального управлСния. Благодаря высокому Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ опрСдСлСния элСктричСских характСристик подходят для контроля ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… пластин Π² процСссС производства. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ тСстирования Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π·ΠΎΠ½Π΄ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ элСктромСтра Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… CPD, SPV ΠΈ JPV, ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ²

    Π˜Π½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сСнсор для ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСм, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎ схСмС ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ – ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊ

    Get PDF
    Measuring devices and systems containing sensors that require sinusoidal excitation are widely used in information and measurement technology both in production conditions and in research practice. Examples include various types of metal detectors, eddy current flaw detectors, analyzers of liquid media, electrometers with a dynamic capacitor, etc. The aim of the work was to develop the optimal architecture and algorithms for the operation of intelligent sensors intended for use in measuring systems operating according to the sinusoidal excitation – response scheme.This paper describes the approach proposed by the authors to the construction of intelligent sensors based on modern microcontrollers, the distinctive feature of which is the continuous generation of sinusoidal excitation and reading responses in the background, as well as setting the readiness flags for data processing in the main process of the microprocessor, which ensures uninterrupted execution of background processes, the main of which is the generation of a sinusoidal excitatory action.This approach has been tested in the development of charge-sensitive surface mapping systems, such as the Kelvin probe based on a vibrating capacitor, and the surface photo voltage probe for the case of semiconductors.Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈ систСмы, содСрТащиС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ воздСйствиС, ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Π² производствСнных условиях, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅. Π’ качСствС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ привСсти Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ мСталлоискатСлСй, Π²ΠΈΡ…Ρ€Π΅Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ дСфСктоскопы, Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΆΠΈΠ΄ΠΊΠΈΡ… срСд, элСктромСтры с динамичСским кондСнсатором ΠΈ Π΄Ρ€. ЦСлью Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являлась Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… сСнсоров, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… для использования Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСмах, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎ схСмС ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ – ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊ.Π’ настоящСй Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ описан ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… сСнсоров Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ соврСмСнных ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ являСтся нСпрСрывная гСнСрация ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… воздСйствий ΠΈ считываниС ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠΎΠ² Π² Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ выставлСниС Ρ„Π»Π°Π³ΠΎΠ² готовности для ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² основном процСссС микропроцСссора, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт бСспСрСбойноС Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… процСссов, Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… являСтся гСнСрация ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΎΠ·Π±ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ воздСйствия.Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ систСм картирования повСрхностСй Π·Π°Ρ€ΡΠ΄ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Π·ΠΎΠ½Π΄ КСльвина, Π½Π° основС динамичСского кондСнсатора, ΠΈ Π·ΠΎΠ½Π΄ повСрхностной Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ-Π­Π”Π‘ для случая ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

    Π—Π°Ρ€ΡΠ΄ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ исслСдования Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… процСссов

    Get PDF
    Surface charge can be used as an information parameter about the change in the state of the material under the action of mechanical stresses. The aim of the work was to develop methods for studying deformation processes in metallic and polymeric materials using a charge-sensitive method.Experimental studies of deformation processes under tensile, compressive and impact loads were carried out on samples of various materials: aluminum alloy of AMg2 grade, steel of grade 08PS, high-pressure polyethylene of grade 12203-250 and samples of composite materials based on it, F4 polytetrafluoroethylene. As a research method, the analysis of changes in the relative values of the surface electron work function in the case of metals and the surface electrostatic potential in the case of polymers and composite materials is used. A scanning modification of a charge-sensitive probe is used as a measuring instrument.The results of experimental studies of materials in a stress-strain state demonstrate the high efficiency of the proposed method. The research methodology makes it possible to detect local changes in the surface potential of the material in the area of deformations, which are not detected on a macroscopic scale using standard methods. The results obtained can serve as a basis for the development of new methods and techniques for studying the mechanical properties of both metals and dielectric materials.Β Π’ качСствС ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΎΠ± ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ состояния ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм мСханичСских напряТСний ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использован повСрхностный элСктростатичСский ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» (заряд). ЦСлью Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являлась ΠΎΡ‚Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊ исслСдования Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… процСссов Π² мСталличСских ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°Ρ… с использованиСм Π·Π°Ρ€ΡΠ΄ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°.ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ исслСдования Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… процСссов ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°ΡΡ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…, ΡΠΆΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈ ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°Ρ… Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°Ρ… Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²: Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ сплав ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ АМг2, ΡΡ‚Π°Π»ΡŒ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ 08ПБ, полиэтилСн высокого давлСния ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ 12203-250 ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π½Π° Π΅Π³ΠΎ основС, фторопласт-4. Π’ качСствС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° исслСдований использовался Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° элСктрона повСрхности Π² случаС ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² ΠΈ повСрхностного элСктростатичСского ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π² случаС ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ². Π’ качСствС срСдств ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ использовалась ΡΠΊΠ°Π½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ модификация Π·Π°Ρ€ΡΠ΄ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π·ΠΎΠ½Π΄Π°.Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… исслСдований ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π² напряТённо-Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ° исслСдований позволяСт ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ измСнСния повСрхностного ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° Π² области дСйствия Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² макроскопичСском ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π΅ с использованиСм стандартных ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ². ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ для Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊ исслСдования мСханичСских свойств ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ диэлСктричСских ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²

    Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктричСского ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° повСрхности с использованиСм статичСского Π·ΠΎΠ½Π΄Π°

    Get PDF
    Surface electric potential measurements are widely used in non-destructive inspection and testing of precision surfaces, for example, in the production of semiconductor devices and integrated circuits. Features of the construction and application of devices for measuring the surface electric potential using an immovable reference electrode are considered. Despite the need to increase the area of the probe compared to devices with a vibrating probe, measurement techniques with an immovable probe have a number of advantages and could expand the scope of surface electric potential measurements in the inspection of samples with precise surfaces. Models of the formation of a measuring signal in the presence of a spatial inhomogeneity of surface electric potential are presented and discussed.ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ контроля ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ элСктричСского ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° повСрхности ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² опСрациях Π½Π΅Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ контроля ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… повСрхностСй, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² элСктронной ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π² процСссС изготовлСния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ². ЦСлью Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являСтся Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ области примСнСния ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊ бСсконтактного контроля ΠΈ измСрСния элСктричСского ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° повСрхности Π½Π° основС использования статичСского отсчётного элСктрода.РассмотрСны особСнности построСния ΠΈ примСнСния устройств измСрСния элСктричСского ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° повСрхности с использованиСм Π½Π΅ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ отсчётного элСктрода. НСсмотря Π½Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ увСличСния ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ Π·ΠΎΠ½Π΄Π° ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с устройствами, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π²ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΄, ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠΈ измСрСния с Π½Π΅ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Π·ΠΎΠ½Π΄ΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ряд прСимущСств ΠΈ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΡΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ примСнСния ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ элСктричСского ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° повСрхности Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π΅ ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ с ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ повСрхностями. ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ формирования ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сигна-Π»Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ пространствСнной нСоднородности элСктричСского ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° повСрхности.
    corecore