Role of structure of C-terminated 4H-SiC(000) surface in growth of graphene layers - transmission electron microscopy and density functional theory studies

Principal structural defects in graphene layers, synthesized on a carbon-terminated face, i.e. the SiC(000) face of a 4H-SiC substrate, are investigated using microscopic methods. Results of high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) reveal their atomic arrangement. Mechanism of such defects creation, directly related to the underlying crystallographic structure of the SiC substrate, is elucidated. The connection between the 4H-SiC(000) surface morphology, including the presence of the single atomic steps, the sequences of atomic steps, and also the macrosteps, and the corresponding emergence of planar defective structure (discontinuities of carbon layers and wrinkles) is revealed. It is shown that disappearance of the multistep island leads to the creation of wrinkles in the graphene layers. The density functional theory (DFT) calculation results show that the diffusion of both silicon and carbon atoms is possible on a Si-terminated SiC surface at a high temperature close to 1600{\deg}C. The creation of buffer layer at the Si-terminated surface effectively blocks horizontal diffusion, preventing growth of thick graphene layer at this face. At the carbon terminated SiC surface, the buffer layer is absent leaving space for effective horizontal diffusion of both silicon and carbon atoms. DFT results show that excess carbon atoms converts a topmost carbon layer to sp2 bonded configuration, liberating Si atoms in barrierless process. The silicon atoms escape through the channels created at the bending layers defects, while the carbon atoms are incorporated into the growing graphene layers. These results explain growth of thick graphene underneath existing graphene cover and also the creation of the principal defects at the C-terminated SiC(0001) surfaceComment: 20 pages,11 figure

Complexes excitoniques dans les boîtes quantiques naturelles dans des structures GaAs/A1As de type II

Des boîtes quantiques à fort confinement tridimensionnel et de très basse densité (106cm-2) ont été démontrées dans des structures qui ont été originellement développées comme des double puits quantique de GaAs/AIAs avec des barrières de GaAIAs. Le fait que ces structures soient de type Il permet de détecter les boîtes quantiques très facilement grâce à la très longue durée de vie des excitons indirects (de l'ordre de quelques millisecondes) et à leur capacité à diffuser efficacement Uusqu'à 100j.lm) dans les pièges zéro dimensionnels. Cet effet est généralement difficile à obtenir dans les structures directes. Les boites quantiques peuvent donc être facilement remplies par des excitons, provoquant la formation, non seulement d'excitons, mais aussi d'excitons chargés et de biexcitons,et également de molécules excitoniques plus complexes montrant un caractère zéro dimensionnel. Ce travail est consacré à l'étude des complexes excitoniques fortement confinés, à leur nature et aux processus permettant leur formation.Nous présentons des études spectroscopiques de l'émission d'une boîte quantique unique sous différentes conditions d'excitation et détectée de différentes manières.La possibilité de contrôler optiquement le nombre d'électrons et de trous qui occupent les niveaux discrets des boites quantiques nous a permis d'étudier la formation de complexes multi-excitoniques en fonction de la densités d'excitons. Les effets observés sont décrits par le modèle de la normalisation des bandes d'énergie comprenant les effets multi-corps, les interactions d'échange et les effets de corrélation.L'influence d'un champ magnétique sur les complexes multi-excitoniques est d'abord discutée. De manière générale, il est montré comment l'application d'un champ magnétique modifie la structure énergétique des transitions observées. Des propriétés typiques de boîtes quantiques telles que l'effet Zeeman, décalage diamagnétique et l'énergie de liaison excitonique sont discutées. Ces études ont permis une analyse de la symétrie et de la taille du potentiel de confinement des boîtes.Ensuite, les mécanismes de capture d'excitons dans les boîtes sont considérés. Le rôle important des processus de diffusion contribuant au temps de relaxation de l'émission des boîtes quantiques uniques est discuté sur la base d'expériences de spectroscopie résolue en temps.Le rôle des processus radiatifs et non radiatifs dans l'émission de complexes multi-excitoniques est montré dans l'émission thermiquement activée de boîtes quantiques uniques.Les mesures de corrélation de photon ont permis la classification des différentes lignes d'émission des complexes multi-excitoniques, d'étude du caractère de mécanisme de capture des porteurs photo-créés et la dynamique des fluctuations de charge caractéristiques d'une boîte quantique unique.L'approche expérimentale à un problème de boite quantique unique est largement discutée et des modèles théoriques sont appliqués pour décrire les effets observés.Quantum dots with strong three dimensional confinement and low surface density 106cm-2 have been identified in a structure which was nominally grown as a type Il GaAs/AIAs bilayer surrounded by GaAIAs barriers. The unique type Il system makes the dots easy to detect due to characteristic, very long-lived (ms range) indirect two-dimensional excitons. The 2D excitons efficiently diffuse (up to 100j.lm) into zero-dimensional traps, which is difficult to obtain in conventional, direct type structures. The dots can therefore be effectively filled by excitons, giving rise to the formation of not only excitons, charged excitons and biexcitons, but also more complex excitonic molecules which show a multiple zero-dimensional shell structure.This work is devoted to investigations of the nature, process of formation and interactions in the strongly confined exciton complexes system.Spectroscopie studies of single quantum dot emission under different conditions of excitation and detection are presented.The possibility of optically controlling the number of electrons and holes populating the discrete dot energy levels allows a discussion of the exciton complexes formation depending on exciton densities. The observed effects are described in the band-gap renormalisation model including many-body, exchange, and correlation type interactions.The influence of a magnetic field on the exciton complexes is discussed. ln general, it is shown how the application of a magnetic fjeld modifies the energy structure of the observed transitions. Typical quantum dot properties such as Zeeman splitting, diamagnetic shift, anc exciton binding energy are discussed. They allowed an analysis of the symmetry and size of the dots' confining potential.Moreover, the mechanisms of exciton capture in the dots are considered. The important role of diffusion processes revealed in single dot time resolved experiments is discussed.The role of radiative and non-radiative processes in the multiexciton emission is shown in temperature activated emission from a single dot.Photon correlation experiments allowed to classify the number of multiexciton emission lines, to study the character of capture of photocreated carriers, and to investigate the dynamics of charge fluctuations characteristic of a single quantum object.The experimental approach to a single quantum dot problem is widely discussed, and theoretical models are applied to describe the observed effects.GRENOBLE1-BU Sciences (384212103) / SudocSudocFranceF