The characterisation of metal-thin insulator-n-p+ silicon switching devices

Experiments are reported on the switching characteristics of MISS devices incorporating a thin (< 50 Å) oxide layer, including the influence of a modulating base current, the effect of temperature and the dynamic performance. A quantitative analysis of a regenerative model of switching is briefly described and shown to give a good account of the experimental results.Les auteurs présentent des résultats expérimentaux sur les caractéristiques de commutation des dispositifs MISS comportant une couche mince d'oxyde (< 50 Å) ; les résultats portent notamment sur les effets thermiques, la modulation apportée par un courant de base et enfin les effets dynamiques. L'analyse physique est conduite à l'aide d'un modèle à contre réaction dont les éléments sont décrits. Un bon accord théorie-expérience est obtenu

The characterisation of metal-thin insulator-n-p+ silicon switching devices

Experiments are reported on the switching characteristics of MISS devices incorporating a thin (< 50 Å) oxide layer, including the influence of a modulating base current, the effect of temperature and the dynamic performance. A quantitative analysis of a regenerative model of switching is briefly described and shown to give a good account of the experimental results