Thermostimulated luminescence spectra of InxTl₁-xI nanostructures synthesized in porous silicon

The dose dependence of integral intensity of thermostimulated luminescence spectra of InxTl₁-xI nanostructures synthesized in porous silicon voids and exposed to hard y-radiation has been investigated. The mechanisms of recombination processes and the practical application possibility of the structures obtained as detectors of radioactive irradiation have been discussed.Исследована дозовая зависимость интегральной интенсивности спектров термостимулированной люминесценции нанокристаллов твёрдых растворов замещения InxTl₁-xI, синтезированных в полостях пористого кремния, при у-облучении. Рассматриваются механизмы рекомбинационных процессов и возможность практического использования полученных структур в качестве датчиков радиационного излучения.Досліджєно дозову залежність інтегральної інтєнсивності спєктрів термостимульованої люмінєсцєнції нанокристалів твеpдиx розчинів заміщення InxTl₁-xI, cинтезoваниx у пopoжнинаx пористого кремнію, при у-опроміненні. Розглядаються меxанiзми рекомбі-нацiйниx процесів та можливість практичного застосування oтpиманиx структур як датчиків радіаційного опромінення

Raman spectra of InᵪTl₁₋ᵪI substitutional solid solutions

The structure of Raman spectra of InᵪTl₁₋ᵪI substitutional solid solutions (х = 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.7) oriented in the (а,с) plane has been studied. Basing on the group theory Analysis, the symmetry of phonon modes has been classified. The Fano anti-resonances have been revealed in the Raman spectra. The role of free carriers in the mechanism of essential changes in the phonon spectrum structure is discussed as depending on thallium content.Дослiджено структуру спектрiв комбiнацiйного розсiювання твердих розчинiв замiщення InᵪTl₁₋ᵪI (х = 0,2, 0,3, 0,4, 0,5, 0,7), орiєнтованих у площинi (а,с). На основi теоретико-групового аналiзу проведено класифiкацiю симетрii фононних мод. У спектрах виявлено антирезонанси Фано. Обговорюеться роль вiльних носiїв у механiзмi суттевих змiн структури фононних спектрiв у залежностi вiд вмiсту талiевоi компоненти.Исследована структура спектров комбинационных рассеяния твердых растворов замещения InᵪTl₁₋ᵪI (х = 0,2, 0,3, 0,4, 0,5, 0,7), ориентированных в плоскости (а,с). На основе теоретико-группового анализа проведена классификация симметрии фононных мод. Обнаружено антирезонансы Фано в спектрах. Обсуждается роль свободных носителей в механизме существенных изменений структуры фононных спектров в зависимости от содержания таллиевой компоненты