Le ruban de silicium E.P.R.: élaboration et mise au point d'un dispositif d'analyse des contraintes résiduelles

Le ruban de silicium polycristallin E.P.R. est obtenu par irradiation électronique sous vide de poudre de silicium de qualité métallurgique. Divers processus de purification, dont celui par fusion de zone, conduisent à un matériau de qualité SOG, exploitable pour la réalisation de photopiles à moindre coût. La présence de profils de température non linéaires dans le ruban en cours d'élaboration, de part et d'autre de la zone fondue, conduit à la création de contraintes résiduelles d'origine thermique. La photoélasticimétrie assistée par ordinateur permet d'obtenir une cartographie des contraintes résiduelles principales pour déterminer les conditions d'irradiation les mieux adaptées à un faible taux de contrainte

Le ruban de silicium E.P.R.: élaboration et mise au point d'un dispositif d'analyse des contraintes résiduelles

The E.P.R. polycrystalline silicon ribbon is obtained by an electron beam irradiation in a high vacuum of a metallurgical silicon compacted powder as starting material. Some processes of purification — essentially the molten zone refining — allow to obtain a SOG material quality which may be used for low-cost solar cells manufacturing. Near the molten zone the temperature profiles are not linear, which generates thermal residual stresses. The computer-aided photoelasticimetry allows to obtain the principal residual stress cartography, and then to determine the best irradiation conditions to minimize the thermal stress.Le ruban de silicium polycristallin E.P.R. est obtenu par irradiation électronique sous vide de poudre de silicium de qualité métallurgique. Divers processus de purification, dont celui par fusion de zone, conduisent à un matériau de qualité SOG, exploitable pour la réalisation de photopiles à moindre coût. La présence de profils de température non linéaires dans le ruban en cours d'élaboration, de part et d'autre de la zone fondue, conduit à la création de contraintes résiduelles d'origine thermique. La photoélasticimétrie assistée par ordinateur permet d'obtenir une cartographie des contraintes résiduelles principales pour déterminer les conditions d'irradiation les mieux adaptées à un faible taux de contrainte

Amelioration des rubans de silicium deposes par torche a plasma et recuits par bombardement electronique

CNRS/PIRSEM 9/1989 (6-10-87/6-12-89)Available at INIST (FR), Document Supply Service, under shelf-number : RP 440 (376) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueSIGLEFRFranc