Internal friction study on the mobility of screw dislocations in undoped InSb

Dislocation mobility is studied by low frequency internal friction in undoped InSb between 0.1 and 0.98 Tm. Samples characterized by a mainly screw dislocations substructure generated by low temperature (403 K) deformation, reveal two high amplitude peaks located at 570 and 725 K. The 570 K-peak symmetrically shaped is explained as an intrinsic relaxation peak of screw dislocations moving by double kink nucleation followed by their lateral propagation. The peak analysis leads to an activation energy 1.27 ± 0.11 eV, close to the apparent activation energy of the InSb plastic deformation

Internal friction study on the mobility of screw dislocations in undoped InSb

Dislocation mobility is studied by low frequency internal friction in undoped InSb between 0.1 and 0.98 Tm. Samples characterized by a mainly screw dislocations substructure generated by low temperature (403 K) deformation, reveal two high amplitude peaks located at 570 and 725 K. The 570 K-peak symmetrically shaped is explained as an intrinsic relaxation peak of screw dislocations moving by double kink nucleation followed by their lateral propagation. The peak analysis leads to an activation energy 1.27 ± 0.11 eV, close to the apparent activation energy of the InSb plastic deformation.La mobilité des dislocations a été étudiée dans InSb non dopé par frottement intérieur basse fréquence (1 Hz) entre 0,1 et 0,98 Tm. Avec une sous-structure composée essentiellement de dislocations vis engendrée par déformation plastique à 403 K, on a mis en évidence deux pics d'amplitude importante situés à 570 K et 725 K. Le pic à 570 K, d'allure symétrique, est interprété comme un pic de relaxation intrinsèque de dislocations vis par nucléation de doubles décrochements, suivie de la propagation latérale de chaque décrochement. L'analyse de ce pic conduit à une énergie d'activation de 1,27 ± 0,11 eV voisine de celle de la déformation plastique

INTERNAL FRICTION INVESTIGATION ON THE MOBILITY OF DISLOCATIONS IN III-V COMPOUNDS

La mobilité des différents types de dislocations contrôlant la déformation des composés III-V a été étudiée par des expériences de frottement intérieur entre 0,1 et 0,98 Tm sur des monocristaux d'InSb non dopés. Les résultats originaux ont été obtenus à partir de deux sous-structures de dislocations distinctes résultant de la déformation plastique en glissement simple à deux températures différentes : à 403 K où l'on obsèrve une population à caractère vis prédominant ; à 495 K où l'on observe à la fois des dislocations vis, 60° et des dipôles coins. On a ainsi mis en évidence un pic de relaxation dû aux dislocations vis dont l'énergie d'activation 1,15 eV est très proche de celle attribuée aux mouvements des dislocations vis à partir d'autres techniques et de la déformation plastique notamment.The mobility of the different types of dislocations involved in the doformation of III-V compounds has been studied with internal friction experiments from 0.1 to 0.98 Tm in undoped InSb single crystals. Original results have been achieved wiht two distinct dislocations substructures established by single glide plastic deformation at two different temperatures : 403 K, which leads to a screw dislocation predominance ; 495 K, which leads to a mixed 60°, screw, and edge dipoles substructure. We have got a relaxation peak due to screw dislocations, with an activation energy ≈ 1.15 eV, very close to that ascribed to screw dislocation movement by other techniques (plastic deformation)