18 research outputs found
A Hydrogenated amorphous silicon detector for Space Weather Applications
The characteristics of a hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) detector are
presented here for monitoring in space solar flares and the evolution of large
energetic proton events up to hundreds of MeV. The a-Si:H presents an excellent
radiation hardness and finds application in harsh radiation environments for
medical purposes, for particle beam characterization and in space weather
science and applications. The critical flux detection threshold for solar X
rays, soft gamma rays, electrons and protons is discussed in detail.Comment: 32 pages, 13 figures, submitted to Experimental Astronom
Bisogni e conflittualità emergenti a partire dal caso di Torino: appunti sull'abitabilitÃ
Il presente contributo è il risultato di alcune riflessioni emerse durante le giornate di lavoro del workshop YoungerSiu 2021. Gli interessi di ricerca degli autori sono variegati ma trovano nella difficoltà di abitare la città contemporanea un approdo comune che tiene insieme le diverse chiavi di lettura con cui hanno guardato ad alcuni luoghi della città di Torino. I quartieri a nord-est del centro di Torino sono stati esplorati attraverso lo strumento del cammino che, unitamente ad altre forme tipiche della ricerca qualitativa, permette di cogliere in modo esperienziale e progressivo le problematiche legate all’abitare, allo spazio pubblico e al welfare. L’articolo ripercorre criticamente tale esperienza, integrando la descrizione spaziale con altre fonti che permettono di delineare alcuni bisogni e conflittualità . Il quadro che emerge in questo contesto è di una contrazione non tanto demografica quanto piuttosto economico-funzionale che si intreccia ai processi strutturali di transizione sociale. Queste questioni si esplicitano in una generale fatica di abitare (Tosi, 2009) e in un più ampio problema di prossimità sociale, abitabilità e accessibilità che riguardano simultaneamente lo spazio privato, la casa, i servizi e la strada. Su questo sfondo, la rete degli spazi e dei servizi pubblici certamente contribuisce in modo importante a migliorare l’abitabilità di alcune porzioni di città , potendo anche contare su progettualità di successo. Per contro le trasformazioni urbane più recenti o in corso di ideazione e realizzazione, viste come opportunità per farvi atterrare risorse, non sempre colgono la natura dei problemi dei quartieri, con il rischio di esacerbarli
Bisogni e conflittualità emergenti a partire dal caso di Torino : appunti sull'abitabilitÃ
Il presente contributo è il risultato di alcune riflessioni emerse durante le giornate di lavoro del workshop YoungerSiu 2021. Gli interessi di ricerca degli autori sono variegati ma trovano nella difficoltà di abitare la città contemporanea un approdo comune che tiene insieme le diverse chiavi di lettura con cui hanno guardato ad alcuni luoghi della città di Torino. I quartieri a nord-est del centro di Torino sono stati esplorati attraverso lo strumento del cammino che, unitamente ad altre forme tipiche della ricerca qualitativa, permette di cogliere in modo esperienziale e progressivo le problematiche legate all’abitare, allo spazio pubblico e al welfare. L’articolo ripercorre criticamente tale esperienza, integrando la descrizione spaziale con altre fonti che permettono di delineare alcuni bisogni e conflittualità . Il quadro che emerge in questo contesto è di una contrazione non tanto demografica quanto piuttosto economico-funzionale che si intreccia ai processi strutturali di transizione sociale. Queste questioni si esplicitano in una generale fatica di abitare (Tosi, 2009) e in un più ampio problema di prossimità sociale, abitabilità e accessibilità che riguardano simultaneamente lo spazio privato, la casa, i servizi e la strada. Su questo sfondo, la rete degli spazi e dei servizi pubblici certamente contribuisce in modo importante a migliorare l’abitabilità di alcune porzioni di città , potendo anche contare su progettualità di successo. Per contro le trasformazioni urbane più recenti o in corso di ideazione e realizzazione, viste come opportunità per farvi atterrare risorse, non sempre colgono la natura dei problemi dei quartieri, con il rischio di esacerbarli
Abitare la contrazione : tre chiavi di lettura a partire dall'esperienza torinese
Il contributo prende avvio dall’esperienza del workshop e dalla commistione di sguardi sul caso torinese. Il tema dell’abitabilità in contesti in contrazione e transizione sociale è affrontato attraverso tre diverse chiavi di lettura che nascono dalle esperienze di ricerca in corso dei tre autori. La prima chiave mette in luce le dinamiche di conflitto tra diverse popolazioni che abitano la città , rilevando come i processi di gentrificazione e/o turistificazione di alcune aree inneschino divari territoriali e dinamiche abitative che meritano attenzione. Nella seconda chiave si approfondisce il tema dei costi abitativi, o affordability, un parametro economico che, intercettando dinamiche socio-spaziali a scala urbana e territoriale, restituisce la qualità dell’abitare e la possibilità di godere del diritto alla città di diversi gruppi sociali. La terza chiave guarda allo spazio pubblico come rete fondamentale dell’abitare, in particolar modo in contesti in cui lo spazio della residenza documenta nuove povertà , disuguaglianze e il malessere di diversi strati sociali. Gli spazi dedicati ai servizi e al welfare (tra cui le scuole) costituiscono un impalcato essenziale di urbanità , tenuto insieme dallo spazio connettivo della mobilità , a partire dal quale si possono innescare buone progettualità , in grado di recepire le aspirazioni e i bisogni degli abitanti. Il contributo, quindi, elabora le riflessioni degli autori emerse in occasione del workshop, alla luce degli approfondimenti e dei confronti avvenuti nei mesi successivi, da un lato, generalizzando alcune questioni fondamentali rispetto ai temi della contrazione e dell’abitabilità e, dall’altro, sollevando, possibili nuove domande di ricerca
High-Resolution Photoemission Study of Neutron-Induced Defects in Amorphous Hydrogenated Silicon Devices
In this paper, by means of high-resolution photoemission, soft X-ray absorption and atomic force microscopy, we investigate, for the first time, the mechanisms of damaging, induced by neutron source, and recovering (after annealing) of p-i-n detector devices based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). This investigation will be performed by mean of high-resolution photoemission, soft X-Ray absorption and atomic force microscopy. Due to dangling bonds, the amorphous silicon is a highly defective material. However, by hydrogenation it is possible to reduce the density of the defect by several orders of magnitude, using hydrogenation and this will allow its usage in radiation detector devices. The investigation of the damage induced by exposure to high energy irradiation and its microscopic origin is fundamental since the amount of defects determine the electronic properties of the a-Si:H. The comparison of the spectroscopic results on bare and irradiated samples shows an increased degree of disorder and a strong reduction of the Si-H bonds after irradiation. After annealing we observe a partial recovering of the Si-H bonds, reducing the disorder in the Si (possibly due to the lowering of the radiation-induced dangling bonds). Moreover, effects in the uppermost coating are also observed by spectroscopies
TCAD modelling of a-Si:H devices for particle detection applications
Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) has been proposed as a suitable material for particle detection applications thanks to its property to be deposited over a large area and above a variety of different substrates, including flexible materials. Moreover, the low cost and intrinsic radiation tolerance made this material appealing in applications where high fluences are expected, e.g. in high energy physics experiments. In order to optimize the device geometry and to evaluate its electrical behaviour in different operating conditions, a suitable Technology CAD (TCAD) design methodology can be applied. In this work, carried out in the framework of the HASPIDE INFN project, we propose an innovative approach to the study of charge transport within the material, using the state-of-the-art Synopsys Advanced TCAD Suite. Different custom mobility models have been devised and implemented within the code as external PMI (Physical Model Interfaces), starting from the Poole–Frenkel model and accounting for different dependencies on temperature and internal potential distribution, thus resulting in a new mobility model embedded within the code. Simple test structures, featuring p-i-n diodes have been simulated and compared to experimental data as a benchmark. The overall aim was to account for the effect of different biasing conditions (namely, different electrical potential and electric field distribution within the device) and operating conditions (e.g. temperature). This work fosters the use of commercially available TCAD suite such as Synopsys Sentaurus, largely diffused in the radiation detection scientific community, for the design and optimization of innovative a-Si:H devices for particle detection applications
High-Resolution Photoemission Study of Neutron-Induced Defects in Amorphous Hydrogenated Silicon Devices
In this paper, by means of high-resolution photoemission, soft X-ray absorption and atomic force microscopy, we investigate, for the first time, the mechanisms of damaging, induced by neutron source, and recovering (after annealing) of p-i-n detector devices based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). This investigation will be performed by mean of high-resolution photoemission, soft X-Ray absorption and atomic force microscopy. Due to dangling bonds, the amorphous silicon is a highly defective material. However, by hydrogenation it is possible to reduce the density of the defect by several orders of magnitude, using hydrogenation and this will allow its usage in radiation detector devices. The investigation of the damage induced by exposure to high energy irradiation and its microscopic origin is fundamental since the amount of defects determine the electronic properties of the a-Si:H. The comparison of the spectroscopic results on bare and irradiated samples shows an increased degree of disorder and a strong reduction of the Si-H bonds after irradiation. After annealing we observe a partial recovering of the Si-H bonds, reducing the disorder in the Si (possibly due to the lowering of the radiation-induced dangling bonds). Moreover, effects in the uppermost coating are also observed by spectroscopies
Dosimetry of microbeam radiotherapy by flexible hydrogenated amorphous silicon detectors
: Objective.Detectors that can provide accurate dosimetry for microbeam radiation therapy (MRT) must possess intrinsic radiation hardness, a high dynamic range, and a micron-scale spatial resolution. In this work we characterize hydrogenated amorphous silicon detectors for MRT dosimetry, presenting a novel combination of flexible, ultra-thin and radiation-hard features.Approach.Two detectors are explored: an n-type/intrinsic/p-type planar diode (NIP) and an NIP with an additional charge selective layer (NIP + CSC).Results.The sensitivity of the NIP + CSC detector was greater than the NIP detector for all measurement conditions. At 1 V and 0 kGy under the 3T Cu-Cu synchrotron broadbeam, the NIP + CSC detector sensitivity of (7.76 ± 0.01) pC cGy-1outperformed the NIP detector sensitivity of (3.55 ± 0.23) pC cGy-1by 219%. The energy dependence of both detectors matches closely to the attenuation coefficient ratio of silicon against water. Radiation damage measurements of both detectors out to 40 kGy revealed a higher radiation tolerance in the NIP detector compared to the NIP + CSC (17.2% and 33.5% degradations, respectively). Percentage depth dose profiles matched the PTW microDiamond detector's performance to within ±6% for all beam filtrations except in 3T Al-Al due to energy dependence. The 3T Cu-Cu microbeam field profile was reconstructed and returned microbeam width and peak-to-peak values of (51 ± 1)μm and (405 ± 5)μm, respectively. The peak-to-valley dose ratio was measured as a function of depth and agrees within error to the values obtained with the PTW microDiamond. X-ray beam induced charge mapping of the detector revealed minimal dose perturbations from extra-cameral materials.Significance.The detectors are comparable to commercially available dosimeters for quality assurance in MRT. With added benefits of being micron-sized and possessing a flexible water-equivalent substrate, these detectors are attractive candidates for quality assurance,in-vivodosimetry and in-line beam monitoring for MRT and FLASH therapy
High-Resolution Photoemission Study of Neutron-Induced Defects in Amorphous Hydrogenated Silicon Devices
In this paper, by means of high-resolution photoemission, soft X-ray absorption and atomic force microscopy, we investigate, for the first time, the mechanisms of damaging, induced by neutron source, and recovering (after annealing) of p-i-n detector devices based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). This investigation will be performed by mean of high-resolution photoemission, soft X-Ray absorption and atomic force microscopy. Due to dangling bonds, the amorphous silicon is a highly defective material. However, by hydrogenation it is possible to reduce the density of the defect by several orders of magnitude, using hydrogenation and this will allow its usage in radiation detector devices. The investigation of the damage induced by exposure to high energy irradiation and its microscopic origin is fundamental since the amount of defects determine the electronic properties of the a-Si:H. The comparison of the spectroscopic results on bare and irradiated samples shows an increased degree of disorder and a strong reduction of the Si-H bonds after irradiation. After annealing we observe a partial recovering of the Si-H bonds, reducing the disorder in the Si (possibly due to the lowering of the radiation-induced dangling bonds). Moreover, effects in the uppermost coating are also observed by spectroscopies.PV-LA