HOT-ELECTRONS IN DELTA-DOPED GAAS(SI) LAYERS

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BROADENING OF THE SI DOPING LAYER IN PLANAR-DOPED GAAS IN THE LIMIT OF HIGH-CONCENTRATIONS

A series of samples of GaAs planar doped with Si, grown by MBE at low substrate temperatures and with different doping concentrations, is investigated. A comparison of Shubnikov-de Haas measurements and self-consistent numerical calculations shows that a broadening of the doped region occurs in spite of the low growth temperature. The broadening occurs via segregation of the Si impurities with the growth surface when the solid solubility limit of Si in GaAs is exceeded. For the growth conditions used this limit is determined to be (2.1 +/- 0.2) x 10(19) cm-3. At high doping densities an intrinsic compensation mechanism becomes active, limiting the concentration of conduction electrons.78979379

Planejamento familiar de mulheres com transtorno mental: o que profissionais do CAPS têm a dizer

O objetivo deste estudo foi verificar demandas de planejamento familiar que chegam ao Centro de Atendimento Psicossocial (CAPS) e investigar contribuições desse serviço para as mulheres portadoras de transtorno mental. Trata-se de estudo qualitativo, realizado com oito profissionais de um CAPS de Fortaleza-CE. A coleta de dados ocorreu por meio de entrevista, sendo utilizada para análise a técnica de conteúdo. As demandas detectadas foram: solicitação de informações pelos familiares para lidar com paciente sexualmente ativo; pacientes suscetíveis à violência sexual e gravidez; mulheres com depressão, em uso de carbonato de lítio. As contribuições: necessidade de rede integrada (atenção básica/CAPS), com profissionais conhecedores das particularidades do planejamento familiar dessas mulheres - parte defende atendimento na atenção básica, parte, atendimento no CAPS, destacando-se o matriciamento como estratégia a corresponsabilizar os dois polos, evitando encaminhamentos desnecessários aos CAPS, pelo fortalecimento da resolubilidade dos casos na atenção básica