EVALUATION DES EFFETS DE DIFFRACTION SUR LES SIGNAUX OBTENUS À PARTIR DES MICROSONDES ÉLECTRONIQUES

On montre que les effets de diffraction sur le parcours des électrons dans les couches minces recristallisées restent négligeables. Ce qui indique que la simulation des trajectoires électroniques par la méthode de Monte-Carlo appliquée aux matériaux amorphes est utilisable pour les cristaux.It is shown that the diffraction effects on the electron path in a recrystallized thin film are negligible. This indicates that the Monte-Carlo method for simulating electron trajectories is valid as much for an amorphous solid as for a crystalline one

Effects of electron beam irradiation followed by thermal chlorine etching on InAs substrate

For the first time, the influence of an electron beam irradiation on InAs with native oxides was investigated. An irradiation modifies the chemical and physical properties of the surface oxides. The latent image can later be revealed by in situ exposure to Cl2 gas at 190 °C. The etching rate by Cl2 of the irradiated native oxides depends on the experimental conditions; it can be either increased or decreased. In consequence, differently irradiated zones of a sample surface later exposed to Cl2 are more or less etched than the non irradiated areas. The effect depends not only on the dose, but also on the electron energy: an irradiation is more effective at low energy. A stationary beam exposure at 30 keV reveals the contribution of the backscattered electrons, their geometrical and energetic spreading and the effect of a gradual variation of the dose. This experiment is compared to the spatial distribution of the backscattered electrons obtained by means of a Monte-Carlo type calculation

CATHODOLUMINESCENCE IN DOUBLE HETEROJUNCTION LASERS

La technique de Cathodoluminescence a été utilisée pour l'évaluation locale des propriétés de la couche active des lasers à double hétérostructure. L'analyse des profils et des spectres de cathodoluminescence, obtenus à partir des surfaces clivées, en fonction de la polarisation externe et du courant de faisceau, a permis une évaluation de la qualité des interfaces, de l'efficacité interne et du gain local de l'émission stimulée. Pour faciliter l'interprétation quantitative, une formule analytique de la fonction de génération, dérivée de la simulation de Monte-Carlo, a été utilisée.The cathodoluminescence mode of the Scanning Electron Microscope is used to evaluate local properties of the active layer of double-heterojunction lasers. The analysis of the Cathodoluminescence line-scans and spectra from cleaved laser surfaces, as a function of the external bias and of the incident beam current, give information about the interface quality, the internal efficiency and the local gain of stimulated emission. In order to make a quantitative interpretation of our experimental measurements, an analytical form of the tridimensional generation function, derived from a Monte-Carlo trajectory simulation, is used

EBIC AND CL STUDY OF LASER DEGRADATION

The first stages of Ga(Al)As laser degradation are studied by means of CL and EBIC measurements on cleaved facets of devices. Degradation by electron beam irradiation is compared to degradation during working. It is concluded that degradation starts in the depleted region with a loss of Si dopant electrical activity. Local degradation speed for Ga(Al)As epitaxial layers grown on either GaAs or Si substrates are compared

Calcul de l'énergie déposée et analyse de la cinétique d'échauffement dans ZnTe et MgZnTe sous bombardement électronique pulsé

Corrélativement à l'étude de l'émission laser de ZnTe et MgZnTe excités par faisceau d'électrons pulsé, nouus présentons le calcul de l'énergie déposée dans ces cristaux et nous analysons la cinétique d'échauffement associée. Les profils de densité d'énergie déposée et les profondeurs de pénétration des électrons sont déterminés en simulant les trajectoires électroniques par une méthode de Monte-Carlo pour des énergies de faisceau de 15 keV à 60 keV. La connaissance de la capacité thermique massique et de la conductivité thermique de ZnTe en fonction de la température permet de calculer la cinétique d'échauffement des échantillons pour des durées de quelques nanosecondes et des profondeurs de quelques micromètres. La température initiale des échantillons couvre le domaine 10 K-300 K et les densités de puissance étudiées sont dans la gamme 75 kW/cm2-1,6 MW/cm2. La méthode d'analyse permet de séparer dans l'excitation la contribution de l'énergie et celle de la densité de courant. Les résultats obtenus mettent en évidence un confinement thermique et montrent en particulier que l'échauffement superficiel est plus élevé à basse température en dépit d'une forte diffusion (Δ T # 40 K en 10 ns) et que à haute température cet échauffement peut s'avérer plus important pour 15 keV que pour 60 keV

Hydrogenation of GaAs covered by GaAlAs and subgrain boundary passivation

Cathodoluminescence (CL) has been performed to study the influence of hydrogen on electronic properties of GaAs with and without a GaAlAs layer. Recombination at sub-boundaries has been examined. These extended defects have been introduced by high temperature plastic deformation. The results show that they are passivated by hydrogen. The penetration of hydrogen is slowed down by the GaAlAs layer.La cathodoluminescence (CL) a été utilisée pour étudier l'influence de l'hydrogène sur les propriétés électroniques de GaAs nu et recouvert d'une couche de GaAlAs. Le caractère recombinant des sous-joints de grains a été examiné. Ces défauts étendus ont été introduits par déformation plastique à chaud. Les résultats montrent que l'hydrogène passive ces défauts. La pénétration de l'hydrogène à l'intérieur de GaAs est retardée par la présence de la couche de GaAlAs

Notions de diffraction electronique

SIGLECNRS RP 251 (397) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc

Notions de diffraction electronique

SIGLECNRS RP 251 (397) / INIST-CNRS - Institut de l'Information Scientifique et TechniqueFRFranc