STUDY OF THE REORIENTATION OF Mn2+-VACANCY COMPLEXES IN POTASSIUM CHLORIDE

L'analyse simultanée des résultats obtenus à partir des mesures de thermocourants de dépolarisation et de RPE nous permet de proposer un modèle pour la réorientation des complexes lacune-impureté dans KCl : Mn2+. Les trois premiers états énergétiques de ces complexes sont déterminés a partir des mesures de RPE et confirmés par les résultats de conductivité. A partir des mesures de thermocourants, on peut identifier la barrière d'énergie qui gouverne la réorientation des complexes.Depolarization thermocurrent and EPR measurements have been performed on Mn2+ doped KCl crystals. From these, we derived a model for the impurity-vacancy complexes reorientation and the binding energies of the first three associated states. One of the two thermocurrent peaks is ascribed to the next nearest neighbour-nearest neighbour vacancy jump, the other to aggregates

MESFET GaAs à grille interrompue. Analyse du fonctionnement pour la photo-détection

A modified OPFET structure, in which a gap is made in the middle of gate strip, has been used as a photo-detector. In darkness, the value of the access resistances has been found to be dependent on the bias voltage applied to the two half gates. A maximum photoresponse of the device to long light pulses is observed as the channel is pinched-off. The response to picosecond light pulses has two components : a « photodiodelike » one and a « photo-resistance-like » one (the faster and slower one respectively).Une nouvelle structure de FET dans laquelle la grille est interrompue sur une certaine distance est décrite et son fonctionnement en tant que photo-détecteur est analysé. On montre comment les résistances d'accès sont modulées en obscurité par la tension grille en régime quasi continu. La réponse à un éclairement quasi stationnaire est étudiée : elle est maximale quand le canal est complètement pincé. La réponse à un éclairement impulsionnel picoseconde présente deux composantes : l'une, rapide, de photo-diode, l'autre, plus lente, de photo-résistance

MESFET GaAs à grille interrompue. Analyse du fonctionnement pour la photo-détection

Une nouvelle structure de FET dans laquelle la grille est interrompue sur une certaine distance est décrite et son fonctionnement en tant que photo-détecteur est analysé. On montre comment les résistances d'accès sont modulées en obscurité par la tension grille en régime quasi continu. La réponse à un éclairement quasi stationnaire est étudiée : elle est maximale quand le canal est complètement pincé. La réponse à un éclairement impulsionnel picoseconde présente deux composantes : l'une, rapide, de photo-diode, l'autre, plus lente, de photo-résistance

Optimisation de dispositifs en guide d'onde avec coupleur a réseau : application aux commutateurs optiques

Numerous devices used in the field of photonics and optronics are made of semiconductor multilayered structures including a nonlinear waveguide and a grating coupler. Optimization of such devices depends on the optical thicknesses of the various layers and on the grating characteristics. For a given sample, the layer parameters are usually known as a first approximation, but a good accuracy is necessary to define the operating wavelength and the coupler characteristics. In a particular case — a InP/InGaAsP/InP sample which operates for optical switching in the transmission mode — we have first defined an optimized structure. Then, we have built an experimental set-up able to measure reflection and transmission coefficients versus polarization, wavelength and incidence angle. From transmission measurements performed with this apparatus, we have deduced both real and imaginary parts of the layers refractive indices. These calculated values allowed us to reoptimize the structure and to determine the operating wavelength.De nombreux dispositifs utilisés en photonique et optoélectronique sont constitués de structures multicouches en semi-conducteurs comportant un guide d'onde non linéaire et d'un coupleur à réseau. Leurs performances dépendent, en particulier, des épaisseurs optiques des différentes couches constituantes et des caractéristiques du réseau de diffraction. Pour un échantillon, les paramètres nominaux des différentes couches sont connus en première approximation, mais il est nécessaire de les préciser pour définir les conditions de fonctionnement et les caractéristiques optimales du coupleur. Dans un cas particulier — échantillon de InP/InGaAsP/InP qui doit fonctionner en commutateur optique par transmission — nous avons défini une structure optimale, puis nous avons mis au point un montage expérimental permettant de mesurer les coefficients de réflexion et de transmission en fonction de la polarisation, de la longueur d'onde et de l'angle d'incidence. Nous avons déduit de ces mesures les parties réelle et imaginaire des indices. Ces résultats nous ont permis de réoptimiser la structure (définie a priori) et de déterminer sa longueur d'onde de fonctionnement

Evidence for acceptor surface states in GaAs planar-type devices

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Surface space charge effects in planar submicrometer GaAs and InP devices

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Layered HfSiON-based tunnel stacks for voltage reduction and improved reliability in TANOS memories

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