The importance of hole concentration in establishing carrier-mediated ferromagnetism in Mn doped Ge

In the present work, we have prepared Mn-doped Ge using different annealing approaches after Mn ion implantation, and obtained samples with hole concentrations ranging from 10^18 to 2.1x10^20 cm^-3, the latter being the highest reported so far. Based on the magnetotransport properties of Mn doped Ge, we argue that the hole concentration is a decisive parameter in establishing carrier-mediated ferromagnetism in magnetic Ge.Comment: 7 pages, 3 figure

Characterization of Green Laser Crystallized GeSi Thin Films

Green laser crystallization of a-Ge0.85Si0.15 films deposited using Low Pressure Chemical Vapour Deposition is studied. Large grains of 8x2 μm2 size were formed using a location-controlled approach. Characterization is done using Scanning Electron Microscopy, Atomic Force Microscopy, X-Ray Photoelectron Spectroscopy and X-Ray Diffraction

Green Laser Crystallization of GeSi thin Films and Dopant Activation

Laser-crystallization of amorphous Ge0.85Si0.15 films is studied, using green laser scanning and preformed topography to steer the crystallization. Large crystals (8x2 μm2) are formed with location-controlled grain boundaries. The obtained films were characterized using Scanning Electron Microscopy, Transmission Electron Microscopy, Atomic Force Microscopy, X-Ray Photoelectron spectroscopy, X-Ray Diffraction and Spectroscopic Ellipsometry. In addition, the activation of ion-implanted poly-Ge0.85Si0.15 films is compared after furnace annealing, rapid thermal annealing and green-laser annealing

Green laser crystallization of α-Si films using preformed α-Si Lines

Low thermal budgets are required to realize 3-D integrated circuits (IC) such as e.g. stacked memory devices. For a better performance of circuit components, an additional improvement of low temperature silicon films is needed. Numerous crystallization techniques can provide polysilicon films with sufficiently large grains [1-3]. However, due to the uncontrollable formation of grain boundaries one can expect a strong variation of the device parameters. Although many techniques are capable of providing a sufficient control over crystal grains and grain boundaries, they require complicated additional process steps such as e.g. air-gap formation [2], seed formation in underlying material for the locationcontrolled grain growth [3], etc. This makes those techniques hardly applicable

Hochtemperatur-Werkstoff-Teststrecke HWT II – begleitende experimentelle und numerische Untersuchungen an Werkstoffen und Komponenten.

Zur Entwicklung eines tieferen Verständnisses der in der Werkstoffteststrecke HWT II eingesetzten Werkstoffe Alloy 617B und Alloy C263 und deren Schweißverbindungen, die als dickwandige Rohre von den Projektpartnern bereitgestellt wurden, wurden begleitende Untersuchungen durchgeführt. Diese umfassten die Bestimmung und Auswertung von Werkstoffeigenschaften mithilfe von Werkstoffprüfungen und Mikrostrukturuntersuchungen. Zur Basisqualifizierung der Werkstoffe und zur Qualifikation der Komponentenherstellung wurde ein umfangreiches experimentelles Untersuchungsprogramm sowie Tests zur Gewährleistung der Qualität von Werkstoffen, Schweißverbindungen und Reparaturschweißungen durchgeführt. Für die Design-Optimierung wurden Werkstoffbeschreibungen für Verformung und Schädigung in Form von Stoffgesetzen und Schädigungsparametern entwickelt und numerische Simulationen zur Ermittlung von Beanspruchungen und Lebensdauer durchgeführt. Die ermittelten Werkstoffeigenschaften wurden zur Anpassung von Stoffgesetzen für Verformung und Lebensdauer herangezogen. Mit den begleitenden Untersuchungen konnte die grundsätzliche Eignung der Werkstoffe für den Temperaturbereich bis 725°C nachgewiesen werden. Gegenüber herkömmlichen Werkstoffen wie martensitischen Stählen weisen die untersuchten Nickellegierungen deutlich abweichende Eigenschaften auf