ФОРМУВАННЯ НАНОПОРИСТИХ ПЛІВОК Al2O3

This paper presents the results on formation of the porous Al2 O3 films in solutions of phosphoric and oxalic acids. Experimental samples with nanoporous Al2 O3 films in case of aluminum layers thinner than 2 mm were obtained only in the solution of oxalic acid. The resulting porous Al2O3 films have the following geometric parameters: pore diameter from 20 to 35 nm, the distance between the pores from 70 to 150 nm depending on anodizing voltage. However, the matrix of pores in Al2O3 film is not quite ordered and ordering is observed only on small areasВ данной работе приведены результаты получения пористых пленок Al2 O3 в растворах щавелевой и ортофосфорной кислот. Были получены экспериментальные образцы пористых пленок Al2 O3 из алюминиевых слоев толщиной менее 2 мкм лишь в определенном растворе щавелевой кислоты. Полученные пористые пленки Al2 O3 имеют следующие геоме- трические параметры: диаметр пор от 20 до 35 нм, расстояние между порами от 70 до 150 нм в зависимости от напряжения анодирования. Однако матрица пор пленки Al2O3 является не по- лностью упорядоченной и области упорядочения наблюдаются лишь на небольших площадях.В даній роботі наведені результати отримання пористих плівок Al2O3 в розчинах щавлевої та ортофосфорної кислот. Були отримані експериментальні зразки пористих плівок Al2O3 з алюмінієвих шарів товщиною менше 2 мкм лише в певному розчині щавлевої кислоти. Отримані пористі плівки Al2O3 мають наступні геометричні параметри: діаметр пор від 20 до 35 нм, відстань між порами від 70 до 150 нм в залежності від напруги анодування. Однак матриця пор плівки Al2O3 є не повністю впорядкованою і області впорядкування спостерігаються лише на невеликих площах

Influence of laser annealing on SiOx films properties

The interaction of laser irradiation with SiOx films, and the process of decomposition of SiOx on SiO2 and Si nanocrystals under the influence of laser irradiation are investigated. The mathematical modeling of temperature distribution in a c-Si wafer as well as on its surface is carried out. It is shown that laser pulses can efficiently heat up the samples of crystalline silicon. Using multi-pulse procedure, the temperature necessary for annealing can be achieved with lower intensity of laser irradiation. Experimental investigations of laser-annealed SiOx films allowed determining their transformation with the formation of nanoislands. It was concluded that the surface topology, dielectric matrix structure, and electrical conductivity depend on laser beam intensity during the annealing process